AUIRF7103QTR Infineon Technologies
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 195+ | 63.53 грн |
| 203+ | 61.26 грн |
| 208+ | 59.55 грн |
| 500+ | 56.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AUIRF7103QTR Infineon Technologies
Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції AUIRF7103QTR за ціною від 54.09 грн до 124.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AUIRF7103QTR | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF7103QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF7103QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 57728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF7103QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF7103QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF7103QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AUIRF7103QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AUIRF7103QTR | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 17155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AUIRF7103QTR Код товару: 208998
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
AUIRF7103QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
AUIRF7103QTR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
AUIRF7103QTR | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 2.4W Gate charge: 10nC Gate-source voltage: ±20V Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |