Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AUIRF7103QTR
AUIRF7103QTR

AUIRF7103QTR Infineon Technologies

3677253765787162auirf7103q.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.58 грн
11+58.01 грн
25+55.94 грн
100+52.44 грн
500+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AUIRF7103QTR Infineon Technologies

Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції AUIRF7103QTR за ціною від 48.91 грн до 114.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
195+62.47 грн
203+60.24 грн
208+58.56 грн
500+55.87 грн
Мінімальне замовлення: 195
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
169+72.27 грн
177+69.04 грн
250+66.26 грн
500+61.60 грн
1000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 169
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
338+90.16 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
338+90.16 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
338+90.16 грн
Мінімальне замовлення: 338
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
131+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : INFINEON 2332429.pdf Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+95.24 грн
12000+83.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : INFINEON 2332429.pdf Description: INFINEON - AUIRF7103QTR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 21525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.78 грн
10+94.43 грн
100+86.29 грн
500+63.34 грн
1000+52.68 грн
5000+48.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR
Код товару: 208998
Додати до обраних Обраний товар

auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies 3677253765787162auirf7103q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.