
IRF7465TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4000+ | 14.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7465TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7465TRPBF за ціною від 18.49 грн до 64.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 6973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7465TRPBF Код товару: 126960
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.9A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 2.5W кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF7465TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.9A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 2.5W |
товару немає в наявності |