Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7465TRPBF

IRF7465TRPBF

irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08
Код товару: 126960
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7465TRPBF за ціною від 20.29 грн до 84.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Infineon Technologies irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Infineon Technologies irf7465.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.94 грн
34+22.19 грн
100+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Infineon Technologies irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08 Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.28 грн
10+51.08 грн
100+33.59 грн
500+24.47 грн
1000+22.20 грн
2000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7465_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Infineon Technologies irf7465.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF INFINEON 107894.pdf Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1009 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF INFINEON 107894.pdf Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1009 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08
IRF7465TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF irf7465.pdf
IRF7465TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+22.94 грн
34+22.19 грн
100+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF irf7465pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fef2681c08
IRF7465TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.28 грн
10+51.08 грн
100+33.59 грн
500+24.47 грн
1000+22.20 грн
2000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF Infineon_IRF7465_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7465TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF irf7465.pdf
IRF7465TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF 107894.pdf
IRF7465TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1009 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7465TRPBF 107894.pdf
IRF7465TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1009 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

AUIRF7103QTR
Код товару: 208998
Додати до обраних Обраний товар
auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XP,215 транзистор
Код товару: 58607
Додати до обраних Обраний товар
pmv65xp-datasheet.pdf
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,058 Ом
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.