Інші пропозиції IRF7465TRPBF за ціною від 17.54 грн до 87.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 8303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 1.9A 280mOhm 10nC |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRF7465TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7465TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7465TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.9 A, 0.28 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF7465TRPBF | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IRF7465TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.9A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.9A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2.5W Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| AUIRF7103QTR Код товару: 208998
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PMV65XP,215 транзистор Код товару: 58607
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7
Монтаж: SMD
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 4,3 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 744/7,7
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.