Продукція > TOSHIBA > BAS316,H3F
BAS316,H3F

BAS316,H3F Toshiba

13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Виробник: Toshiba
Diode Switching Si 100V 0.25A 2-Pin USC T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2738+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 2738
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAS316,H3F Toshiba

Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V.

Інші пропозиції BAS316,H3F за ціною від 1.81 грн до 10.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55416&prodName=BAS316 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.52 грн
64+5.17 грн
100+4.20 грн
500+2.86 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba AFBE08BFE11B48DF643D05F71489B56731453C48538BD815FDC763AA1F49624D.pdf Small Signal Switching Diodes Switching Diode 100V .35pF .25A
на замовлення 7918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+9.46 грн
64+5.70 грн
100+4.09 грн
500+2.91 грн
1000+2.60 грн
3000+2.13 грн
6000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba 13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Diode Switching Si 100V 0.25A 2-Pin USC T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+10.11 грн
116+6.31 грн
117+6.23 грн
144+4.89 грн
250+4.46 грн
500+3.02 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba 13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Rectifier Diode Switching Si 100V 0.25A 3ns 2-Pin USC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba 13320docget.jspdid55416prodnamebas316.jspdid55416prodnamebas316.pdf Diode Switching Si 100V 0.25A 2-Pin USC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS316,H3F BAS316,H3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55416&prodName=BAS316 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.