Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > BAS316,H3F
BAS316,H3F

BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=55416&prodName=BAS316
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V.

Інші пропозиції BAS316,H3F за ціною від 2.66 грн до 12.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BAS316,H3F BAS316,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55416&prodName=BAS316 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
42+7.18 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS316,H3F BAS316,H3F Toshiba AFBE08BFE11B48DF643D05F71489B56731453C48538BD815FDC763AA1F49624D.pdf Small Signal Switching Diodes Switching Diode 100V .35pF .25A
на замовлення 57444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS316,H3F docget.jsp?did=55416&prodName=BAS316
BAS316,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V
на замовлення 4245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.43 грн
42+7.18 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS316,H3F AFBE08BFE11B48DF643D05F71489B56731453C48538BD815FDC763AA1F49624D.pdf
BAS316,H3F
Виробник: Toshiba
Small Signal Switching Diodes Switching Diode 100V .35pF .25A
на замовлення 57444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.