| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 71+ | 10.62 грн |
| 105+ | 7.19 грн |
| 113+ | 6.66 грн |
| 154+ | 4.74 грн |
| 250+ | 4.23 грн |
| 500+ | 3.10 грн |
| 1000+ | 1.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BAS316,H3F Toshiba
Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 3 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 250mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V.
Інші пропозиції BAS316,H3F за ціною від 1.55 грн до 11.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS316,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: DIODE STANDARD 100V 250MA USCPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 80 V |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BAS316,H3F | Виробник : Toshiba |
Small Signal Switching Diodes Switching Diode 100V .35pF .25A |
на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BAS316,H3F | Виробник : Toshiba |
Diode Switching Si 100V 0.25A 2-Pin USC T/R |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |