Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > BC817K-40WE6327

BC817K-40WE6327 ROCHESTER ELECTRONICS

INFNS16504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC817K-40WE6327 - BC817 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BC817K-40WE6327 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 170MHz, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції BC817K-40WE6327

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BC 817K-40W E6327	Виробник : Infineon Technologies	Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BC817K40WE6327	Виробник : Infineon Technologies	Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BC817K-40WE6327	Виробник : Infineon Technologies	Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 500 mW	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BC 817K-40W E6327	Виробник : Infineon Technologies	Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.5A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.