Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BC846BHZGT116

BC846BHZGT116

datasheet?p=BC846BHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Код товару: 221541

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції BC846BHZGT116

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
BC846BHZGT116	ROHM Semiconductor	Bipolar Transistors - BJT SOT-23 BJT NPN 65V 120MA	на замовлення 729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
BC846BHZGT116	ROHM	Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C	на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн.
BC846BHZGT116	ROHM	Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200mW Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 120mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C	на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

BC846BHZGT116

Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT SOT-23 BJT NPN 65V 120MA

на замовлення 729 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

BC846BHZGT116

Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

BC846BHZGT116

Виробник: ROHM
Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 120mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

З цим товаром купують

BC856BHZGT116
Код товару: 221526

Додати до обраних Обраний товар

datasheet?p=BC856BHZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key

Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

15 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RK73H2BTTD1502F)
Код товару: 221461

Додати до обраних Обраний товар

SMD резистори > 1206

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DI115N06PQ
Код товару: 221460

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Z1SMA20-AQ
Код товару: 221459

Додати до обраних Обраний товар

Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

CDRH127/LDNP-150MC (15uH, ±20%, Idc=5.65A, Rdc max/typ=26.4/20.3 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 41273

3 Додати до обраних Обраний товар

CDRH127/LDNP-150MC (15uH, ±20%, Idc=5.65A, Rdc max/typ=26.4/20.3 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)

Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 15 мкГн
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 15uH, ±20%, Idc=5.65A, Rdc max/typ=26.4/20.3 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3 мм, h=8,0 мм
Робочий струм, А: 5,65 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90

у наявності: 650 шт

610 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	12.50 грн
10+	10.80 грн
100+	7.70 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.