Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > BC856BLT3G ON
BC856BLT3G

BC856BLT3G ON

BC856ALT1-D.pdf
Код товару: 216566
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 65 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BC856BLT3G за ціною від 0.52 грн до 1658.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 365000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30613+1.14 грн
100000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 30613
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
196+3.81 грн
337+2.21 грн
348+2.13 грн
527+1.36 грн
534+1.24 грн
721+0.88 грн
1000+0.68 грн
3000+0.58 грн
6000+0.52 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1658.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G Виробник : ONN bc856alt1-d.pdf
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G Виробник : ON Semiconductor BC856ALT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : onsemi bc856alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G Виробник : ONSEMI BC856_7_8.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PMEG4005AEA,115
Код товару: 149444
Додати до обраних Обраний товар
PMEG4005AEA.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Код товару: 134236
Додати до обраних Обраний товар
pdtc123j_ser.pdf
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Виробник: Nexperia
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 100
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 2000 шт
2000 шт - очікується
Кількість Ціна
10+2.00 грн
15+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1G
Код товару: 112578
Додати до обраних Обраний товар
bc846blt1g.pdf
BC846BLT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV23,215
Код товару: 105492
Додати до обраних Обраний товар
bav23_ser-datasheet.pdf
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOT143B
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 0,225 A
Примітка: два діоди
SMD
у наявності: 4 шт
4 шт - склад
очікується: 3522 шт
3522 шт - очікується
Кількість Ціна
3+7.00 грн
10+5.60 грн
100+3.30 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10MQ100NTRPBF
Код товару: 59111
1 Додати до обраних Обраний товар
vs-10mq100npbf-datasheet.pdf
VS-10MQ100NTRPBF
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 1 A
Падіння напруги, Vf: 0,78 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
у наявності: 6268 шт
6162 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.