Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > BC856BLT3G ON
BC856BLT3G

BC856BLT3G ON

BC856ALT1-D.pdf
Код товару: 216566
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 65 В
Напруга Uкб, В: 80 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BC856BLT3G за ціною від 0.52 грн до 7.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC856BLT3G BC856BLT3G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 365000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30613+1.15 грн
100000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.19 грн
20000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+3.84 грн
337+2.23 грн
348+2.15 грн
527+1.37 грн
534+1.25 грн
721+0.89 грн
1000+0.69 грн
3000+0.59 грн
6000+0.52 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G onsemi BC856ALT1-D.PDF Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 50904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.70 грн
63+4.74 грн
102+2.92 грн
500+1.98 грн
1000+1.73 грн
2000+1.52 грн
5000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G onsemi BC856ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 49693 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G ONSEMI 2353764.pdf Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856BLT3G ON Semiconductor bc856alt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G ONN BC856ALT1-D.PDF
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G bc856alt1-d.pdf
BC856BLT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 365000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30613+1.15 грн
100000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856ALT1-D.PDF
BC856BLT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.19 грн
20000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G bc856alt1-d.pdf
BC856BLT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
196+3.84 грн
337+2.23 грн
348+2.15 грн
527+1.37 грн
534+1.25 грн
721+0.89 грн
1000+0.69 грн
3000+0.59 грн
6000+0.52 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856ALT1-D.PDF
BC856BLT3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 50904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+7.70 грн
63+4.74 грн
102+2.92 грн
500+1.98 грн
1000+1.73 грн
2000+1.52 грн
5000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856ALT1-D.PDF
BC856BLT3G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 49693 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G 2353764.pdf
BC856BLT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G 2353764.pdf
BC856BLT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G bc856alt1-d.pdf
BC856BLT3G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT3G BC856ALT1-D.PDF
Виробник: ONN
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PMEG4005AEA,115
Код товару: 149444
Додати до обраних Обраний товар
PMEG4005AEA.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Код товару: 134236
Додати до обраних Обраний товар
pdtc123j_ser.pdf
PDTC123JT,215 (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Виробник: Nexperia
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 230 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 50 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 100
Монтаж: SMD
у наявності: 720 шт
  • 720 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.00 грн
15+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1G
Код товару: 112578
Додати до обраних Обраний товар
bc846blt1g.pdf
BC846BLT1G
Виробник: ON
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 65 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
BAV23,215
Код товару: 105492
Додати до обраних Обраний товар
bav23_ser-datasheet.pdf
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SOT143B
Зворотна напруга Vrr, В: 200 В
Середній струм Iav, А: 0,225 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: два діоди
Примітка: два діоди
Монтаж: SMD
у наявності: 613 шт
  • 613 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+5.60 грн
100+3.30 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-10MQ100NTRPBF
Код товару: 59111
1 Додати до обраних Обраний товар
vs-10mq100npbf-datasheet.pdf
VS-10MQ100NTRPBF
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA (DO-214AC)
Зворотна напруга Vrrm, В: 100 В
Прямий струм (per leg) If, А: 1 А
Падіння напруги Vf, В: 0,78 В
Монтаж: SMD
Імпульсний струм Ifsm, А: 30 А
у наявності: 6228 шт
  • 6122 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 43 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.90 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.