
BC859C Diotec Semiconductor
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 0.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC859C Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 250 mW.
Інші пропозиції BC859C за ціною від 0.62 грн до 8.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC859-C | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC859C | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 520 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 6808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC859C | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Case: SOT23 Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 520 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6808 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BC859-C | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC859-C | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BC859C | Виробник : NXP |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |