BC859C Diotec Semiconductor
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC859C Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BC859C за ціною від 0.66 грн до 8.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC859-C | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BC859C | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
BC859C | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| BC859C | Виробник : SHIKUES |
Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHK кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BC859-C | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| BC859-C | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BC859C | Виробник : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BC859C | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 520 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |