Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BC859-C
BC859-C

BC859-C Infineon Technologies

INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8955+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 8955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8955 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC859-C Infineon Technologies

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BC859-C за ціною від 0.73 грн до 8.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC859C BC859C DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.24 грн
93+4.47 грн
166+2.50 грн
500+1.63 грн
1000+1.36 грн
1220+0.78 грн
3360+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C BC859C Diotec Semiconductor bc856.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
47+6.54 грн
69+4.35 грн
106+2.48 грн
500+1.83 грн
1000+1.57 грн
3000+1.04 грн
9000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C BC859C Diotec Semiconductor bc856.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.50 грн
65+4.62 грн
105+2.84 грн
500+1.92 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C BC859C DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C BC859C DIOTEC SEMICONDUCTOR bc856.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C BC859C Diotec Semiconductor bc856.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2794 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859-C Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859-C ROCHESTER ELECTRONICS INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12659 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C bc856.pdf
BC859C
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 520
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.24 грн
93+4.47 грн
166+2.50 грн
500+1.63 грн
1000+1.36 грн
1220+0.78 грн
3360+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C bc856.pdf
BC859C
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, PNP
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+6.54 грн
69+4.35 грн
106+2.48 грн
500+1.83 грн
1000+1.57 грн
3000+1.04 грн
9000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C bc856.pdf
BC859C
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.50 грн
65+4.62 грн
105+2.84 грн
500+1.92 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C bc856.pdf
BC859C
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C bc856.pdf
BC859C
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C bc856.pdf
BC859C
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2794 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859-C INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15152+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859-C INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12659 шт
В кошику  од. на суму  грн.