BC859C Infineon
Код товару: 3051
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: Infineon
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 100 МГц
Напруга Uке, В: 30 В
Напруга Uкб, В: 30 В
Струм Iк, А: 0,1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 900
УКТЗЕД: 8541 21 00 90
у наявності: 57 шт
- 57 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 277 шт
- 277 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.20 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| 10000+ | 0.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BC859C за ціною від 0.72 грн до 7.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC859C | SHIKUES |
Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHKкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC859C | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC859-C | Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC859C | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 520 |
на замовлення 455 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC859C | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 4007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC859C | DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BC859C | DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BC859-C | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| BC859-C | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTORtariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12659 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC859C |
![]() |
Виробник: SHIKUES
Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHK
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor PNP; 800; 310mW; 30V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BC859C,215; BC859C,235; BC859CLT1G; BC859CE6327HTSA1; BC859C SHIKUES TBC859c SHK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 0.72 грн |
| BC859C |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.49 грн |
| BC859-C |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13172+ | 1.50 грн |
| BC859C |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 520
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 520
на замовлення 455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 7.21 грн |
| 143+ | 2.93 грн |
| 217+ | 1.93 грн |
| BC859C |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 7.82 грн |
| 66+ | 4.59 грн |
| 108+ | 2.81 грн |
| 500+ | 1.89 грн |
| 1000+ | 1.65 грн |
| BC859C |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC859C |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: DIOTEC - BC859C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC859-C |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15152+ | 2.33 грн |
| BC859-C |
![]() |
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC859-C - BC859 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 8,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-8M2-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 11321
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 8,2 МОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 8,2 МОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 35262 шт
- 22066 шт - склад
- 3996 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4500 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4700 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 10400 шт
- 10400 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| 3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-3MR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 11318
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 3 МОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 3 МОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 10000 шт
- 5700 шт - склад
- 4300 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 1200 шт
- 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| BC849B (SOT-23, Diotec) біполярний транзистор NPN Код товару: 3064
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Diotec
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 30 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 450
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 300 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 30 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 1716 шт
- 1295 шт - склад
- 195 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 215 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 350 шт
- 350 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 10000+ | 0.50 грн |
| 6,2 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-6M2-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2148
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 6,2 МОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 6,2 МОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 40745 шт
- 26945 шт - склад
- 4000 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 4900 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 4900 шт
- 4900 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |
| BC849C (біполярний транзистор NPN) Код товару: 2031
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 30 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 450
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 30 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 450
Монтаж: SMD
у наявності: 238 шт
- 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 191 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.75 грн |
| 10000+ | 0.40 грн |







