BCP56-10T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 12.62 грн |
| 2000+ | 10.98 грн |
| 3000+ | 10.38 грн |
| 5000+ | 9.11 грн |
| 7000+ | 8.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP56-10T1G onsemi
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BCP56-10T1G за ціною від 9.29 грн до 46.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-10T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-10T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz |
на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-10T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN |
на замовлення 3848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-10T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2536 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-10T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-10T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 14577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-10T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 9955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BCP56-10T1G |
BCP56-10T1G Транзисторы |
на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BCP56-10T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |



