Продукція > INFINEON > BCR162E6327

BCR162E6327 Infineon

INFNS11631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon
PNP 50V 100mA 200MHz 200mW BCR162E6327HTSA1 BCR162E6327 Infineon TBCR162
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR162E6327 Infineon

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції BCR162E6327 за ціною від 3.23 грн до 64.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR 162 E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS11631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8013+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 162 E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCR162-DS-v01_01-en-514399.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.64 грн
13+29.94 грн
100+13.90 грн
500+9.18 грн
1000+6.23 грн
3000+5.67 грн
9000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS11631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BCR162E6327 PNP SMD transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.50 грн
300+3.98 грн
820+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS11631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.