BCR162E6327 Infineon
Виробник: Infineon
PNP 50V 100mA 200MHz 200mW BCR162E6327HTSA1 BCR162E6327 Infineon TBCR162
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR162E6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BCR162E6327 за ціною від 2.97 грн до 91.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR162E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Type of transistor: PNP Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 4.7kΩ Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 200MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BCR 162 E6327 | Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCR 162 E6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BCR162E6327 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 91.37 грн |
| BCR 162 E6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8013+ | 2.97 грн |
| BCR 162 E6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.22 грн |
| 13+ | 26.42 грн |
| 100+ | 12.26 грн |
| 500+ | 8.11 грн |
| 1000+ | 5.50 грн |
| 3000+ | 5.00 грн |
| 9000+ | 3.67 грн |