BCR162E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Case: SOT23
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 14.86 грн |
| 25+ | 11.46 грн |
| 100+ | 4.09 грн |
| 300+ | 3.63 грн |
| 500+ | 3.55 грн |
| 820+ | 3.43 грн |
| 3000+ | 3.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR162E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.
Інші пропозиції BCR162E6327 за ціною від 1.39 грн до 34.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCR162E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ Mounting: SMD |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BCR162E6327 | Виробник : Infineon |
PNP 50V 100mA 200MHz 200mW BCR162E6327HTSA1 BCR162E6327 Infineon TBCR162 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCR 162 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCR 162 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BCR162E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
товару немає в наявності |