
BCR 129 E6327 Infineon Technologies

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8362+ | 2.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR 129 E6327 Infineon Technologies
Description: BCR129 - DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms.
Інші пропозиції BCR 129 E6327 за ціною від 1.04 грн до 20.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR 129 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 20501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BCR 129 E6327 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
BCR129E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCR129E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCR129E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Base resistor: 10kΩ |
товару немає в наявності |