Продукція > INFINEON > BCR141SH6327

BCR141SH6327 Infineon


INFNS11720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon
2NPN 50V 100mA 130MHz 250mW BCR141SH6327XTSA1 BCR141SH6327 Infineon TBCR141s
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR141SH6327 Infineon

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1, Part Status: Active.

Інші пропозиції BCR141SH6327 за ціною від 5.19 грн до 5.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR 141S H6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS11720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3796+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3796
BCR 141S H6327 Виробник : Infineon Technologies bcr141series-336938.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BCR141SH6327
Код товару: 173504
INFNS11720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BCR141SH6327 BCR141SH6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS11720-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товар відсутній
BCR141SH6327 BCR141SH6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BCR141.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 22kΩ
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT363
Frequency: 130MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
товар відсутній