BCR 166 E6327 Infineon
Виробник: Infineon
PNP 50V 100mA 160MHz 200mW BCR166E6327HTSA1 BCR166E6327 Infineon TBCR166
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR 166 E6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 160 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BCR 166 E6327 за ціною від 3.27 грн до 25.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR166E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Type of transistor: PNP Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 160MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BCR 166 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BCR166-E6327 | Виробник : Infineon |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
BCR166E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 160 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |