Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR166E6327
BCR166E6327

BCR166E6327 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5836521750469&compId=BCR166.pdf?ci_sign=3fa9723f756af0d24d4a7bd47786e2a7dde80b4b Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 160MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.10 грн
27+14.76 грн
35+11.38 грн
100+8.86 грн
250+6.50 грн
379+2.40 грн
1041+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR166E6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 160 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції BCR166E6327 за ціною від 1.04 грн до 30.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR166E6327 BCR166E6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5836521750469&compId=BCR166.pdf?ci_sign=3fa9723f756af0d24d4a7bd47786e2a7dde80b4b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 160MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.12 грн
16+18.40 грн
25+13.65 грн
100+10.63 грн
250+7.79 грн
379+2.88 грн
1041+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 166 E6327 Виробник : Infineon PNP 50V 100mA 160MHz 200mW BCR166E6327HTSA1 BCR166E6327 Infineon TBCR166
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 166 E6327 Виробник : Infineon Technologies bcr166series-14619.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.93 грн
23+15.01 грн
100+8.28 грн
500+5.07 грн
1000+3.73 грн
3000+3.13 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166-E6327 Виробник : Infineon
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166E6327 Виробник : Infineon Technologies bcr166series.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166E6327 Виробник : Infineon Technologies SIEMD095-687.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.