BCR 166 E6327 Infineon
Виробник: Infineon
PNP 50V 100mA 160MHz 200mW BCR166E6327HTSA1 BCR166E6327 Infineon TBCR166
кількість в упаковці: 500 шт
PNP 50V 100mA 160MHz 200mW BCR166E6327HTSA1 BCR166E6327 Infineon TBCR166
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR 166 E6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 160 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції BCR 166 E6327 за ціною від 2.96 грн до 34.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCR 166 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 7572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCR166E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BCR166E6327 PNP SMD transistors |
на замовлення 336 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCR166-E6327 | Виробник : Infineon |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
BCR166E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BCR166E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |

