
BCR166E6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Case: SOT23
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 24.76 грн |
27+ | 14.56 грн |
35+ | 11.22 грн |
100+ | 8.74 грн |
250+ | 6.41 грн |
379+ | 2.38 грн |
1041+ | 2.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR166E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 160 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції BCR166E6327 за ціною від 1.04 грн до 29.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCR166E6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ Case: SOT23 Frequency: 160MHz Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BCR 166 E6327 | Виробник : Infineon |
PNP 50V 100mA 160MHz 200mW BCR166E6327HTSA1 BCR166E6327 Infineon TBCR166 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCR 166 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8597 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCR166 | Виробник : INFINEON |
![]() |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCR166 | Виробник : INFINEON |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCR166-E6327 | Виробник : Infineon |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BCR166 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BCR166 Код товару: 55889
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BCR166 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCR166 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCR166E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCR166E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 160 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |