Продукція > INFINEON > BCW 60D E6327
BCW 60D E6327

BCW 60D E6327 Infineon

TBCW60d_0001.pdf
Виробник: Infineon
NPN 100mA 32V 250mW 250MHz BCW60D TBCW60d
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW 60D E6327 Infineon

Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.

Інші пропозиції BCW 60D E6327 за ціною від 2.87 грн до 27.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCW60DE6327 BCW60DE6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 13852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7397+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 7397
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 60D E6327 BCW 60D E6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8013+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 60D E6327 BCW 60D E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCW60_BCX70-DS-v01_01-en-461875.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
на замовлення 48541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.78 грн
17+18.95 грн
100+10.45 грн
1000+4.71 грн
3000+4.02 грн
9000+3.12 грн
24000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.