Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCW60DE6327
BCW60DE6327

BCW60DE6327 Infineon Technologies

INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 13852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7397+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 7397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 7397 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCW60DE6327 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 330 mW.

Інші пропозиції BCW60DE6327 за ціною від 3.07 грн до 29.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCW 60D E6327 BCW 60D E6327 Infineon Technologies INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 8013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 60D E6327 BCW 60D E6327 Infineon Technologies Infineon-BCW60_BCX70-DS-v01_01-en-461875.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
на замовлення 48541 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
11+29.35 грн
15+20.02 грн
100+11.04 грн
1000+4.97 грн
3000+4.24 грн
9000+3.29 грн
24000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 60D E6327 INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW 60D E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8013+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 8013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW 60D E6327 Infineon-BCW60_BCX70-DS-v01_01-en-461875.pdf
BCW 60D E6327
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
на замовлення 48541 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.35 грн
15+20.02 грн
100+11.04 грн
1000+4.97 грн
3000+4.24 грн
9000+3.29 грн
24000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.