BD13816STU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.76 грн |
| 27+ | 28.16 грн |
| 100+ | 23.87 грн |
| 500+ | 20.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13816STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD13816STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BD13816STU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BD13816STU | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD13816STU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)