BD13916STU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1239+ | 18.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD13916STU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BD13916STU за ціною від 16.75 грн до 83.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD13916STU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 77367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD13916STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 8148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD13916STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 8160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD13916STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 8100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD13916STU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO126ISO Current gain: 100...250 Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 2726 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD13916STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 4116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BD13916STU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD13916STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| BD139-16STU | Виробник : ONS/FAI |
TO-126ISO Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BD13916STU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BD13916STU | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 100 @ 15 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55,,,+150, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 60 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BD139-16STU | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 250 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 12,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-126ISO Од. вим: шт кількість в упаковці: 60 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
BD13916STU | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
товару немає в наявності |