Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BD239C за ціною від 10.56 грн до 127.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BD239C | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD239C | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD239C | ARK |
NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C CDIL TBD239c cкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 325 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD239C | ST |
NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C TBD239cкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD239C | STM |
NPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 Транзистори |
на замовлення 173 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD239C | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD239C | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD239C | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 115V Collector current: 2A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
на замовлення 874 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD239C | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
на замовлення 6765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BD239C | onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD239C | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BD239C | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BD239C | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors |
на замовлення 8341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BD239C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BD239C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 10.56 грн |
| BD239C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1343+ | 10.56 грн |
| BD239C |
![]() |
на замовлення 325 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 14.18 грн |
| BD239C |
![]() |
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 16.06 грн |
| BD239C |
![]() |
Виробник: STM
NPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 Транзистори
NPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 Транзистори
на замовлення 173 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 19.13 грн |
| BD239C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 34.84 грн |
| 50+ | 34.49 грн |
| 100+ | 30.25 грн |
| 500+ | 22.83 грн |
| 1000+ | 18.98 грн |
| 2000+ | 16.95 грн |
| 5000+ | 15.11 грн |
| BD239C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 406+ | 34.99 грн |
| 410+ | 34.65 грн |
| 467+ | 30.38 грн |
| 596+ | 22.94 грн |
| 1000+ | 19.07 грн |
| 2000+ | 17.03 грн |
| 5000+ | 15.17 грн |
| BD239C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 115V
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 115V
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 874 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 49.22 грн |
| 19+ | 22.35 грн |
| 50+ | 21.19 грн |
| 100+ | 20.44 грн |
| 500+ | 19.28 грн |
| BD239C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 559+ | 63.46 грн |
| 1000+ | 58.52 грн |
| BD239C |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.59 грн |
| 10+ | 77.63 грн |
| 200+ | 46.80 грн |
| BD239C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.37 грн |
| 50+ | 58.48 грн |
| 100+ | 52.22 грн |
| 500+ | 38.71 грн |
| 1000+ | 35.39 грн |
| 2000+ | 32.60 грн |
| 5000+ | 29.10 грн |
| BD239C |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BD239C |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
на замовлення 8341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BD239C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)









