Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BD239C

BD239C

en.CD00000937.pdf BD239C-D.pdf
Код товару: 161416
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BD239C за ціною від 11.98 грн до 178.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BD239C BD239C STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1083+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 1083 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C ARK info-tbd239c%20c.pdf NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C CDIL TBD239c c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 325 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C ST info-tbd239c.pdf NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C TBD239c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+17.97 грн
50+17.80 грн
100+17.21 грн
500+15.23 грн
1000+13.51 грн
2000+12.59 грн
5000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C STM bd239c.pdf NPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 Транзистори
на замовлення 173 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
17+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C STMicroelectronics CD00000937.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: bipolar
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Collector-emitter voltage: 115V
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Type of transistor: NPN
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.78 грн
19+22.15 грн
50+21.00 грн
100+20.26 грн
500+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C ON Semiconductor bd239cd.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
559+62.89 грн
1000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C onsemi BD239C-D.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.39 грн
10+75.16 грн
200+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C STMicroelectronics en.CD00000937.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.16 грн
50+56.66 грн
100+50.59 грн
500+37.50 грн
1000+34.28 грн
2000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C STMicroelectronics 1279cd00000937.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.69 грн
50+85.26 грн
100+76.13 грн
500+57.98 грн
1000+49.09 грн
2000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C ONSEMI BD239C-D.pdf Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C onsemi en.CD00000937.pdf BD239C-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C STMicroelectronics en.CD00000937.pdf BD239C-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
на замовлення 8341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C 1279cd00000937.pdf
BD239C
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1083+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 1083 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C info-tbd239c%20c.pdf
BD239C
Виробник: ARK
NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C CDIL TBD239c c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 325 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C info-tbd239c.pdf
BD239C
Виробник: ST
NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C TBD239c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C 1279cd00000937.pdf
BD239C
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+17.97 грн
50+17.80 грн
100+17.21 грн
500+15.23 грн
1000+13.51 грн
2000+12.59 грн
5000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C bd239c.pdf
BD239C
Виробник: STM
NPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 Транзистори
на замовлення 173 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C 1279cd00000937.pdf
BD239C
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
614+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C CD00000937.pdf
BD239C
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Polarisation: bipolar
Collector current: 2A
Power dissipation: 30W
Collector-emitter voltage: 115V
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Type of transistor: NPN
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.78 грн
19+22.15 грн
50+21.00 грн
100+20.26 грн
500+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C bd239cd.pdf
BD239C
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
559+62.89 грн
1000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C-D.pdf
BD239C
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.39 грн
10+75.16 грн
200+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C en.CD00000937.pdf
BD239C
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.16 грн
50+56.66 грн
100+50.59 грн
500+37.50 грн
1000+34.28 грн
2000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C 1279cd00000937.pdf
BD239C
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+178.69 грн
50+85.26 грн
100+76.13 грн
500+57.98 грн
1000+49.09 грн
2000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C BD239C-D.pdf
BD239C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C en.CD00000937.pdf BD239C-D.pdf
BD239C
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD239C en.CD00000937.pdf BD239C-D.pdf
BD239C
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors
на замовлення 8341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.