BD239C STMicroelectronics
на замовлення 9175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 11.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BD239C STMicroelectronics
Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BD239C за ціною від 9.30 грн до 145.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BD239C | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD239C | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD239C | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD239C | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 14256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD239C | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 115V Collector current: 2A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD239C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
на замовлення 6765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD239C | Виробник : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BD239C | Виробник : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 115V; 2A; 30W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 115V Collector current: 2A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 666 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD239C | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Transistors |
на замовлення 6362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD239C | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 300µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD239C | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BD239C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD239C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BD239C | Виробник : ARK |
NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C CDIL TBD239c c кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 375 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BD239C Код товару: 161416
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
| BD239C | Виробник : ST |
NPN 2A 100V 30W 3MHz BD239C TBD239c кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BD239C | Виробник : STMicroelectronics NV |
NPN, Vceo=100V, Ic=2A, 30W, TO-220, -55...+125 |
на замовлення 173 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
BD239C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
BD239C | Виробник : Bourns |
Bipolar Transistors - BJT 30W NPN Silicon |
товару немає в наявності |