BFG 235 E6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFG 235 E6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12.5dB, Power - Max: 2W, Current - Collector (Ic) (Max): 300mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V, Frequency - Transition: 5.5GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції BFG 235 E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BFG235E6327 | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
||
 |
BFG 235 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF Trans DISCONTINUED |
товару немає в наявності |