Технічний опис BFP420H6801 Infineon technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Frequency - Transition: 25GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V, Current - Collector (Ic) (Max): 60mA, Power - Max: 210mW, Gain: 21dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BFP420H6801
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BFP420H6801 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPNPart Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 25GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Power - Max: 210mW Gain: 21dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
BFP 420 H6801 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BFP420H6801 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 210mW
Gain: 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Power - Max: 210mW
Gain: 21dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFP 420 H6801 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику
од. на суму грн.




