BFP 520F H6327 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.17 грн |
| 10+ | 47.16 грн |
| 100+ | 25.54 грн |
| 500+ | 17.60 грн |
| 1000+ | 15.12 грн |
| 3000+ | 12.84 грн |
| 6000+ | 11.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP 520F H6327 Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22.5dB, Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V, Frequency - Transition: 45GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP 520F H6327 за ціною від 12.43 грн до 12.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFP520FH6327 | Infineon Technologies |
 Description: LOW-NOISE SI TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| BFP520FH6327 | Infineon technologies |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BFP520FH6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1854+ | 12.43 грн |
| BFP520FH6327 |
|
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)