BFP 520F H6327 Infineon Technologies
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.55 грн |
| 12+ | 30.64 грн |
| 100+ | 18.20 грн |
| 500+ | 15.93 грн |
| 1000+ | 13.06 грн |
| 3000+ | 11.38 грн |
| 9000+ | 11.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP 520F H6327 Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22.5dB, Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V, Frequency - Transition: 45GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP 520F H6327 за ціною від 12.70 грн до 12.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFP520FH6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: LOW-NOISE SI TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BFP520FH6327 | Виробник : Infineon technologies |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |