BFP 520F H6327

BFP 520F H6327 Infineon Technologies


Infineon_BFP520F_DS_v02_00_EN-2309208.pdf Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.66 грн
12+30.71 грн
100+18.24 грн
500+15.96 грн
1000+13.10 грн
3000+11.40 грн
9000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP 520F H6327 Infineon Technologies

Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22.5dB, Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V, Frequency - Transition: 45GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFP 520F H6327 за ціною від 12.73 грн до 12.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFP520FH6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS10675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.95dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1854+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 1854
В кошику  од. на суму  грн.
BFP520FH6327 Виробник : Infineon technologies INFNS10675-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.