BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 295+ | 42.24 грн |
| 307+ | 40.54 грн |
| 500+ | 39.08 грн |
| 1000+ | 36.46 грн |
| 2500+ | 32.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 39dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 45mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V, Frequency - Transition: 47GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFP 740FESD H6327 за ціною від 12.81 грн до 67.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFP 740FESD H6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 RF Bipolar Transistors RF BI |
на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 39dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
на замовлення 142641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|