BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies


Infineon-BFP740FESD-DataSheet-v03_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BI
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.24 грн
10+36.44 грн
100+21.68 грн
500+17.05 грн
1000+14.64 грн
3000+12.36 грн
6000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 39dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 45mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V, Frequency - Transition: 47GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFP 740FESD H6327 за ціною від 13.59 грн до 13.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFP740FESDH6327 Infineon Technologies INFNS27318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 39dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 142641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1610+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 1610 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327 INFNS27318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 39dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 142641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1610+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 1610 шт
В кошику  од. на суму  грн.