Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BFP 740FESD H6327
BFP 740FESD H6327

BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies

infineonbfp740fesddatasheetv0300en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin TSFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
295+48.36 грн
307+46.42 грн
500+44.75 грн
1000+41.74 грн
2500+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 295 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 39dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 45mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V, Frequency - Transition: 47GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.

Інші пропозиції BFP 740FESD H6327 за ціною від 12.07 грн до 63.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFP 740FESD H6327 BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies Infineon-BFP740FESD-DataSheet-v03_00-EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BI
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+63.82 грн
10+38.60 грн
100+22.96 грн
500+18.06 грн
1000+15.50 грн
3000+13.09 грн
6000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327 Infineon Technologies INFNS27318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 39dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 142641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1610+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 1610 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP 740FESD H6327 Infineon-BFP740FESD-DataSheet-v03_00-EN.pdf
BFP 740FESD H6327
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BI
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.82 грн
10+38.60 грн
100+22.96 грн
500+18.06 грн
1000+15.50 грн
3000+13.09 грн
6000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740FESDH6327 INFNS27318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 39dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 45mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 47GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
на замовлення 142641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1610+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 1610 шт
В кошику  од. на суму  грн.