Продукція > INFINEON > BFR193W H6327

BFR193W H6327 Infineon


info-tbfr193w.pdf
Виробник: Infineon
NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BFR193W H6327 Infineon

Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Power - Max: 580mW, Gain: 16dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BFR193W H6327 за ціною від 8.13 грн до 18.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.97 грн
30+13.93 грн
34+12.44 грн
39+10.78 грн
50+9.78 грн
100+9.04 грн
250+8.46 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 193W H6327 BFR 193W H6327 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
779+18.18 грн
808+17.52 грн
1000+16.95 грн
2500+15.87 грн
5000+14.30 грн
10000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 193W H6327 BFR 193W H6327 Infineon Technologies Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 193W H6327 Infineon
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Frequency: 8GHz
Kind of package: reel; tape
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+16.97 грн
30+13.93 грн
34+12.44 грн
39+10.78 грн
50+9.78 грн
100+9.04 грн
250+8.46 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 193W H6327 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
779+18.18 грн
808+17.52 грн
1000+16.95 грн
2500+15.87 грн
5000+14.30 грн
10000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 193W H6327 Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 193W H6327
Виробник: Infineon
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.