BFR193W H6327 Infineon
Виробник: Infineon
NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 5.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR193W H6327 Infineon
Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Power - Max: 580mW, Gain: 16dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BFR193W H6327 за ціною від 6.91 грн до 33.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BFR 193W H6327 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 19386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BFR 193W H6327 | Infineon |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BFR 193W H6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 19386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.22 грн |
| 15+ | 23.10 грн |
| 100+ | 12.48 грн |
| 500+ | 8.25 грн |
| 1000+ | 7.54 грн |
| 3000+ | 6.91 грн |
| BFR 193W H6327 |
Виробник: Infineon
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)