BFR 193W H6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
674+ | 17.36 грн |
700+ | 16.73 грн |
1000+ | 16.19 грн |
2500+ | 15.15 грн |
5000+ | 13.65 грн |
10000+ | 12.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BFR 193W H6327 Infineon Technologies
Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 16dB, Power - Max: 580mW, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Frequency - Transition: 8GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active.
Інші пропозиції BFR 193W H6327 за ціною від 4.82 грн до 31.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFR 193W H6327 | Виробник : Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 18007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193W H6327 | Виробник : Infineon |
NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR 193W H6327 | Виробник : Infineon |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BFR193WH6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HIGH LINEARITY TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active |
товар відсутній |