Продукція > VISHAY > BS250KLTR1E3

BS250KLTR1E3 Vishay


Виробник: Vishay

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BS250KLTR1E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-92-18RM, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 15 V.

Інші пропозиції BS250KLTR1E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BS250KL-TR1-E3 72712.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BS250KL-TR1-E3 BS250KL-TR1-E3 Виробник : Vishay 72712.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.27A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
BS250KL-TR1-E3 BS250KL-TR1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72712.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-18RM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 15 V
товар відсутній
BS250KL-TR1-E3 BS250KL-TR1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix 72712.pdf MOSFET 60V 0.27A 0.8W
товар відсутній