Технічний опис BSB165N15NZ3 G Infineon Technologies
Description: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ, Packaging: Bulk, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V.
Інші пропозиції BSB165N15NZ3 G за ціною від 137.20 грн до 137.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSB165N15NZ3 G | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2 |
на замовлення 9105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| BSB165N15NZ3G | Infineon Technologies |
Description: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Packaging: Bulk Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 4012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| BSB165N15NZ3G | Infineon technologies |
|
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSB165N15NZ3 G |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSB165N15NZ3G |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 156+ | 137.20 грн |
| BSB165N15NZ3G |
|
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)