Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSB165N15NZ3 G
BSB165N15NZ3 G

BSB165N15NZ3 G Infineon Technologies

BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSB165N15NZ3 G Infineon Technologies

Description: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P, Packaging: Bulk, Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA, Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V.

Інші пропозиції BSB165N15NZ3 G за ціною від 139.30 грн до 139.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3 G Виробник : Infineon Technologies BSB165N15NZ3+G+Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 Description: MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
на замовлення 9105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3G Виробник : Infineon Technologies INFNS17233-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSB165N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 75 V
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
156+139.30 грн
Мінімальне замовлення: 156
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3G Виробник : Infineon technologies INFNS17233-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3 G BSB165N15NZ3 G Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en-1225456.pdf MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.