Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 > BSB280N15NZ3 G

BSB280N15NZ3 G

Код товару: 125682
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSB280N15NZ3 G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSB280N15NZ3G Infineon INFNS17442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-Ch 150V 30A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3G Infineon Technologies INFNS17442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3 G BSB280N15NZ3 G Infineon Technologies Infineon_BSB280N15NZ3_DS_v02_05_en-3160601.pdf MOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3G INFNS17442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
N-Ch 150V 30A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3G INFNS17442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BSB280N15 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB280N15NZ3 G Infineon_BSB280N15NZ3_DS_v02_05_en-3160601.pdf
BSB280N15NZ3 G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.