Інші пропозиції BSB280N15NZ3 G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
BSB280N15NZ3G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA Supplier Device Package: MG-WDSON-2-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |
||
![]() |
BSB280N15NZ3 G | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |