BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 15.18 грн |
| 10000+ | 13.52 грн |
| 15000+ | 12.97 грн |
| 25000+ | 12.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSC093N04LSGATMA1 за ціною від 13.63 грн до 68.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 71554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 70720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 47142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 85546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 71554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V |
на замовлення 28305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC093N04LSGATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
BSC093N04LSGATMA1 Код товару: 174414
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BSC093N04LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |