Продукція > BSC > BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
Код товару: 174414
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC093N04LSGATMA1 за ціною від 11.09 грн до 67.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.35 грн
10000+13.68 грн
15000+13.12 грн
25000+11.72 грн
35000+11.37 грн
50000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.88 грн
27+28.14 грн
37+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+36.34 грн
388+36.25 грн
500+28.19 грн
1000+24.75 грн
2000+20.91 грн
5000+17.26 грн
10000+15.41 грн
20000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 47142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+42.06 грн
348+40.38 грн
500+38.92 грн
1000+36.30 грн
2500+32.62 грн
5000+30.47 грн
10000+29.73 грн
25000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.97 грн
10+42.17 грн
12+36.48 грн
50+30.72 грн
100+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 51480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.74 грн
10+40.40 грн
100+26.26 грн
500+18.94 грн
1000+17.10 грн
2000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC093N04LSG_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 18378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 9300 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 53799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+15.35 грн
10000+13.68 грн
15000+13.12 грн
25000+11.72 грн
35000+11.37 грн
50000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+33.88 грн
27+28.14 грн
37+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
387+36.34 грн
388+36.25 грн
500+28.19 грн
1000+24.75 грн
2000+20.91 грн
5000+17.26 грн
10000+15.41 грн
20000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 47142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
335+42.06 грн
348+40.38 грн
500+38.92 грн
1000+36.30 грн
2500+32.62 грн
5000+30.47 грн
10000+29.73 грн
25000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG-DTE.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.97 грн
10+42.17 грн
12+36.48 грн
50+30.72 грн
100+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 51480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.74 грн
10+40.40 грн
100+26.26 грн
500+18.94 грн
1000+17.10 грн
2000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 Infineon_BSC093N04LSG_DS_v02_01_en.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 18378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 9300 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
на замовлення 53799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.