Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC093N04LSGATMA1
BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.37 грн
10000+12.38 грн
15000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC093N04LSGATMA1 за ціною від 12.97 грн до 60.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.37 грн
27+26.05 грн
37+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
387+31.41 грн
388+31.33 грн
500+24.37 грн
1000+21.39 грн
2000+18.07 грн
5000+14.92 грн
10000+13.32 грн
20000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 387
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 72720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.43 грн
500+22.47 грн
1000+16.42 грн
5000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 47142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+36.35 грн
348+34.90 грн
500+33.63 грн
1000+31.37 грн
2500+28.19 грн
5000+26.34 грн
10000+25.69 грн
25000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 35579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.00 грн
10+32.70 грн
100+26.15 грн
500+18.27 грн
1000+16.02 грн
2000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC093N04LSG_DS_v02_01_en-1226185.pdf MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 85546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.82 грн
10+36.27 грн
100+24.95 грн
500+22.10 грн
1000+19.55 грн
5000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.42 грн
12+33.79 грн
31+30.59 грн
83+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.79 грн
23+37.82 грн
100+31.26 грн
500+21.77 грн
1000+16.50 грн
5000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.51 грн
10+42.11 грн
31+36.71 грн
83+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1
Код товару: 174414
Додати до обраних Обраний товар

BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.