Продукція > BSC > BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
Код товару: 174414
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC093N04LSGATMA1 за ціною від 12.87 грн до 66.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.06 грн
10000+13.42 грн
15000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.04 грн
500+20.92 грн
1000+15.85 грн
5000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+33.50 грн
27+27.82 грн
37+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
387+35.93 грн
388+35.84 грн
500+27.88 грн
1000+24.47 грн
2000+20.67 грн
5000+17.07 грн
10000+15.24 грн
20000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 387
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 47142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+41.59 грн
348+39.92 грн
500+38.48 грн
1000+35.89 грн
2500+32.26 грн
5000+30.13 грн
10000+29.39 грн
25000+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC093N04LSG_DS_v02_01_en-1226185.pdf MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 85546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.04 грн
10+33.52 грн
100+23.05 грн
500+20.42 грн
1000+18.07 грн
5000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 71554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.66 грн
23+36.34 грн
100+30.04 грн
500+20.92 грн
1000+15.85 грн
5000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.92 грн
11+41.33 грн
50+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 18549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.20 грн
10+39.67 грн
100+25.76 грн
500+18.58 грн
1000+16.78 грн
2000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.