Продукція > BSC > BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
Код товару: 174414
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSC093N04LSGATMA1 за ціною від 13.10 грн до 67.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.34 грн
10000+13.67 грн
15000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC093N04LSG_DS_v02_01_en-1226185.pdf MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 85546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.87 грн
10+34.12 грн
100+23.47 грн
500+20.79 грн
1000+18.40 грн
5000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.04 грн
11+42.08 грн
50+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 18549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.40 грн
10+40.39 грн
100+26.23 грн
500+18.92 грн
1000+17.08 грн
2000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+15.34 грн
10000+13.67 грн
15000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 Infineon_BSC093N04LSG_DS_v02_01_en-1226185.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 85546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+46.87 грн
10+34.12 грн
100+23.47 грн
500+20.79 грн
1000+18.40 грн
5000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG-DTE.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+63.04 грн
11+42.08 грн
50+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 18549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.40 грн
10+40.39 грн
100+26.23 грн
500+18.92 грн
1000+17.08 грн
2000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.