Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC093N04LSGATMA1
BSC093N04LSGATMA1

BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.47 грн
10000+12.47 грн
15000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSC093N04LSGATMA1 за ціною від 13.07 грн до 71.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.60 грн
27+26.24 грн
37+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 70720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
387+31.64 грн
388+31.55 грн
500+24.54 грн
1000+21.54 грн
2000+18.20 грн
5000+15.03 грн
10000+13.42 грн
20000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 387
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON INFNS27234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.54 грн
500+24.37 грн
1000+18.94 грн
5000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 47142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+36.62 грн
348+35.15 грн
500+33.88 грн
1000+31.60 грн
2500+28.40 грн
5000+26.53 грн
10000+25.88 грн
25000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 35579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.34 грн
10+32.94 грн
100+26.34 грн
500+18.40 грн
1000+16.13 грн
2000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC093N04LSG_DS_v02_01_en-1226185.pdf MOSFETs N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 85546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.18 грн
10+36.53 грн
100+25.13 грн
500+22.26 грн
1000+19.70 грн
5000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822 Description: INFINEON - BSC093N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0093 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.40 грн
24+36.57 грн
100+31.66 грн
500+22.64 грн
1000+16.54 грн
5000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.26 грн
31+30.66 грн
83+28.93 грн
500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38795A97469411C&compId=BSC093N04LSG-DTE.pdf?ci_sign=1048a566bfd8c900fb6791183d0b42909927a73e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.11 грн
31+38.20 грн
83+34.71 грн
500+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1
Код товару: 174414
Додати до обраних Обраний товар

BSC093N04LSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c44a1fa80822
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies 4948bsc093n04lsg_rev2.1.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c7d50620107cfi.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.