Продукція > INFINEON > BSP171PL6327

BSP171PL6327 INFINEON


Виробник: INFINEON

на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP171PL6327 INFINEON

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: SIPMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -1.7A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.35Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції BSP171PL6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSP171PL6327 Infineon bsp171.pdf SOT-223, -60V, -1.7A, 0.35 Ohm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P L6327 BSP171P L6327 Infineon Technologies Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en-522822.pdf GaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327 BSP171PL6327 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PL6327-Infineon.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327 bsp171.pdf
Виробник: Infineon
SOT-223, -60V, -1.7A, 0.35 Ohm Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171P L6327 Infineon-BSP171P-DS-v02_07-en-522822.pdf
BSP171P L6327
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PL6327 BSP171PL6327-Infineon.pdf
BSP171PL6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.