Технічний опис BSP171PL6327 INFINEON
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: SIPMOS™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -1.7A, Power dissipation: 1.6W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.35Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції BSP171PL6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSP171PL6327 | Виробник : Infineon |
 SOT-223, -60V, -1.7A, 0.35 Ohm Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
BSP171P L6327 | Виробник : Infineon Technologies |
GaN FETs P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3 |
товару немає в наявності |
|
 |
BSP171PL6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.7A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |