BSS123L

BSS123L ON Semiconductor


bss123l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8334+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 8334
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BSS123L за ціною від 1.64 грн до 20.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4717+2.70 грн
6000+2.61 грн
9000+2.44 грн
15000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 4717
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.92 грн
6000+2.83 грн
9000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4274+2.98 грн
4311+2.95 грн
4616+2.76 грн
4793+2.56 грн
4902+2.32 грн
6000+2.17 грн
15000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 4274
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi BSS123L_Oct2014.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.76 грн
6000+3.25 грн
9000+3.06 грн
15000+2.67 грн
21000+2.55 грн
30000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 73448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.51 грн
1500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI 2298165.pdf Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI BSS123L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 8567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.92 грн
71+5.95 грн
100+4.95 грн
250+3.21 грн
500+2.71 грн
1000+1.99 грн
3000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+10.19 грн
148+4.94 грн
149+4.88 грн
228+3.08 грн
250+2.83 грн
500+2.53 грн
1000+2.44 грн
3000+2.38 грн
6000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI BSS123L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.91 грн
43+7.41 грн
100+5.94 грн
250+3.85 грн
500+3.26 грн
1000+2.39 грн
3000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 73448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
57+15.88 грн
119+7.60 грн
171+5.30 грн
500+4.51 грн
1500+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi BSS123L_Oct2014.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 68763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.27 грн
31+10.89 грн
100+6.74 грн
500+4.64 грн
1000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi BSS123L-D.PDF MOSFETs Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23
на замовлення 601275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+20.17 грн
31+12.21 грн
100+6.59 грн
500+4.82 грн
1000+4.10 грн
3000+3.14 грн
6000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.