Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS123L
BSS123L

BSS123L ON Semiconductor

1055246512757722bss123l.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSS123L за ціною від 1.96 грн до 17.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi BSS123L_Oct2014.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.48 грн
6000+2.27 грн
9000+2.16 грн
15000+2.01 грн
30000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4747+2.60 грн
6000+2.40 грн
9000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 4747
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI 2298165.pdf Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.78 грн
6000+2.57 грн
9000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4110+3.00 грн
4167+2.96 грн
4630+2.66 грн
4644+2.56 грн
4659+2.36 грн
6000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 4110
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3917+3.15 грн
6000+3.05 грн
9000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3917
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.36 грн
6000+3.26 грн
9000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 73443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.35 грн
1500+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+10.91 грн
135+5.24 грн
136+5.19 грн
220+3.10 грн
250+2.83 грн
500+2.44 грн
3000+2.43 грн
6000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5CD04746BB1BF&compId=BSS123L-DTE.pdf?ci_sign=8ed27bc96459eaec35a984b9465205e2fecb1beb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 8642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.94 грн
50+7.92 грн
61+6.57 грн
94+4.24 грн
110+3.60 грн
500+2.64 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi / Fairchild BSS123L-D.PDF MOSFETs Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23
на замовлення 666287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.74 грн
55+6.47 грн
100+3.95 грн
500+3.57 грн
1000+3.50 грн
3000+2.05 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5CD04746BB1BF&compId=BSS123L-DTE.pdf?ci_sign=8ed27bc96459eaec35a984b9465205e2fecb1beb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 2.5nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.32 грн
30+9.87 грн
37+7.89 грн
56+5.09 грн
100+4.32 грн
500+3.17 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi BSS123L_Oct2014.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 97972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.80 грн
40+8.00 грн
100+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 73443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.05 грн
105+8.17 грн
167+5.11 грн
500+4.35 грн
1500+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.