Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS123L
BSS123L

BSS123L ON Semiconductor

1055246512757722bss123l.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BSS123L за ціною від 1.99 грн до 23.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.26 грн
6000+ 2.23 грн
9000+ 2.13 грн
15000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4778+2.44 грн
6000+ 2.41 грн
9000+ 2.29 грн
15000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 4778
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI 2298165.pdf Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.2 грн
9000+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi BSS123L_Oct2014.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.39 грн
6000+ 3.03 грн
9000+ 2.51 грн
30000+ 2.32 грн
75000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3049+3.82 грн
9000+ 3.49 грн
18000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 3049
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI BSS123L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+4.99 грн
100+ 3.6 грн
295+ 2.76 грн
800+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 75
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
на замовлення 45574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI BSS123L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+5.99 грн
100+ 4.49 грн
295+ 3.31 грн
800+ 3.13 грн
3000+ 3.09 грн
Мінімальне замовлення: 45
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1906+6.11 грн
2022+ 5.76 грн
2246+ 5.18 грн
3081+ 3.64 грн
3606+ 2.88 грн
6000+ 2.44 грн
15000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 1906
BSS123L BSS123L Виробник : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+16.97 грн
58+ 10.06 грн
65+ 8.89 грн
102+ 5.47 грн
250+ 4.77 грн
500+ 4.13 грн
1000+ 3.01 грн
3000+ 2.57 грн
6000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi BSS123L_Oct2014.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 133490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.12 грн
21+ 13.35 грн
100+ 6.5 грн
500+ 5.09 грн
1000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS123L BSS123L Виробник : onsemi / Fairchild BSS123L_D-3150185.pdf MOSFET Small Signal MOSFET 100V 170mA 6 Ohm Single N-Channel SOT-23
на замовлення 773639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.62 грн
24+ 13.06 грн
100+ 5.25 грн
1000+ 3.65 грн
3000+ 2.39 грн
9000+ 2.13 грн
24000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS123L BSS123L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
на замовлення 45574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+23.85 грн
46+ 16.32 грн
118+ 6.36 грн
500+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 32
BSS123L Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003590869-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BSS123L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)