Продукція > ONSEMI > BSS123L
BSS123L

BSS123L onsemi

BSS123L-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.71 грн
6000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123L onsemi

Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.

Інші пропозиції BSS123L за ціною від 2.04 грн до 20.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSS123L BSS123L ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+17.58 грн
94+8.40 грн
140+5.59 грн
500+5.18 грн
1000+4.62 грн
3000+2.59 грн
6000+2.51 грн
9000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
834+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.01 грн
100+17.32 грн
250+15.99 грн
500+15.31 грн
1000+15.26 грн
3000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
809+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L ONSEMI BSS123L-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.20 грн
51+8.41 грн
62+6.88 грн
100+6.21 грн
448+2.16 грн
1230+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L onsemi BSS123L-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.84 грн
26+11.77 грн
50+8.39 грн
100+6.86 грн
500+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L onsemi BSS123L-D.PDF MOSFETs FET 100V 6.0 MOHM SOT23
на замовлення 406106 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
16+20.36 грн
34+9.26 грн
100+7.00 грн
500+5.19 грн
3000+3.39 грн
6000+2.56 грн
9000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 57652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 58112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L bss123l-d.pdf
BSS123L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+17.58 грн
94+8.40 грн
140+5.59 грн
500+5.18 грн
1000+4.62 грн
3000+2.59 грн
6000+2.51 грн
9000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L bss123l-d.pdf
BSS123L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
834+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L bss123l-d.pdf
BSS123L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+18.01 грн
100+17.32 грн
250+15.99 грн
500+15.31 грн
1000+15.26 грн
3000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L bss123l-d.pdf
BSS123L
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
809+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L-DTE.pdf
BSS123L
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.20 грн
51+8.41 грн
62+6.88 грн
100+6.21 грн
448+2.16 грн
1230+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L-D.PDF
BSS123L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.84 грн
26+11.77 грн
50+8.39 грн
100+6.86 грн
500+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L BSS123L-D.PDF
BSS123L
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 100V 6.0 MOHM SOT23
на замовлення 406106 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.36 грн
34+9.26 грн
100+7.00 грн
500+5.19 грн
3000+3.39 грн
6000+2.56 грн
9000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 57652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123L ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 58112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.