на замовлення 3636000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4778+ | 2.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Можливі заміни BSS138LT1G ON Semiconductor
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS138 (CJ, SOT-23) Код товару: 186257
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : CJ |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 27/ Монтаж: SMD |
у наявності: 6569 шт
5700 шт - склад
250 шт - РАДІОМАГ-Київ 200 шт - РАДІОМАГ-Львів 200 шт - РАДІОМАГ-Харків 219 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
|
|
BSS138 Код товару: 197212
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : UMW |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ Монтаж: SMD |
у наявності: 12367 шт
10627 шт - склад
645 шт - РАДІОМАГ-Київ 348 шт - РАДІОМАГ-Львів 747 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції BSS138LT1G за ціною від 1.68 грн до 24.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3636000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS138LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS138LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 469717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 132703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 470762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 132703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BSS138LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 200mA 50V 360mW 3.5? BSS138L BSS138 BSS138TA BSS138LT3G BSS138-YAN BSS138-TP [BSS138LT7G(2.75V,5V)] BSS138LT1G smd TBSS138LT1G кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 6467 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BSS138LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
N-MOSFET 200mA 50V 360mW 3.5? BSS138L BSS138 BSS138TA BSS138LT3G BSS138-YAN BSS138-TP [BSS138LT7G(2.75V,5V)] BSS138LT1G smd TBSS138LT1G кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| BSS138LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 200 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 пФ @ 25 В; Rds = 3.5 Ом @ 200 мА, 5 В; Ugs(th) = 1.5 В @ 1 мА; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Без свинцю; SOT-23-3 |
на замовлення 218 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
BSS138LT1G (SOT-23, ON) Код товару: 28421
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ON |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,200 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 40/ Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||||
 |
BSS138LT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 50V 200mA N-Channel |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
 |
BSS138LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |