BSS138LT1G

BSS138LT1G ON Semiconductor


bss138lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS138LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.

Можливі заміни BSS138LT1G ON Semiconductor

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS138 (CJ, SOT-23) BSS138 (CJ, SOT-23)
Код товару: 186257
Виробник : CJ BSS138-JCET.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 27/
Монтаж: SMD
у наявності: 2875 шт
очікується: 8000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+1.5 грн
10+ 1.3 грн
100+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSS138 BSS138
Код товару: 197212
Виробник : UMW BSS138_UMW _datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 10839 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+2.5 грн
10+ 1.9 грн
100+ 1.4 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 2

Інші пропозиції BSS138LT1G за ціною від 2.02 грн до 30.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS138LT1G BSS138LT1G Виробник : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138LT1G BSS138LT1G Виробник : onsemi bss138lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 335900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.25 грн
6000+ 3.8 грн
9000+ 3.15 грн
30000+ 2.9 грн
75000+ 2.61 грн
150000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138LT1G BSS138LT1G Виробник : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138LT1G BSS138LT1G Виробник : ONSEMI 2353875.pdf Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 121195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138LT1G BSS138LT1G Виробник : ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+19.39 грн
24+ 14.7 грн
27+ 13.19 грн
33+ 10.51 грн
100+ 8.38 грн
250+ 7.35 грн
267+ 3 грн
732+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS138LT1G BSS138LT1G Виробник : ONSEMI BSS138L.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+23.26 грн
15+ 18.32 грн
16+ 15.83 грн
25+ 12.62 грн
100+ 10.06 грн
250+ 8.82 грн
267+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS138LT1G BSS138LT1G Виробник : onsemi bss138lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 338574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.97 грн
17+ 16.7 грн
100+ 8.15 грн
500+ 6.38 грн
1000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS138LT1G BSS138LT1G Виробник : onsemi BSS138LT1_D-2310401.pdf MOSFET 50V 200mA N-Channel
на замовлення 1449233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.16 грн
17+ 18.51 грн
100+ 6.6 грн
1000+ 4.62 грн
3000+ 3.63 грн
9000+ 3.03 грн
24000+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS138LT1G BSS138LT1G Виробник : ONSEMI 2353875.pdf Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 121195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.56 грн
36+ 20.79 грн
100+ 7.99 грн
500+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS138LT1G BSS138LT1G Виробник : ONSEMI 2353875.pdf Description: ONSEMI - BSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS138LT1G Виробник : ONS bss138lt1-d.pdf Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=50V; Id=0,2A; Pdmax=0,225W; Rds=3,5 Ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+2.45 грн
125+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 112
BSS138LT1G Виробник : ON-Semicoductor bss138lt1-d.pdf N-MOSFET 200mA 50V 360mW 3.5? BSS138L BSS138 BSS138TA BSS138LT3G BSS138-YAN BSS138-TP [BSS138LT7G(2.75V,5V)] BSS138LT1G smd TBSS138L
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138LT1G Виробник : ON-Semicoductor bss138lt1-d.pdf N-MOSFET 200mA 50V 360mW 3.5? BSS138L BSS138 BSS138TA BSS138LT3G BSS138-YAN BSS138-TP [BSS138LT7G(2.75V,5V)] BSS138LT1G smd TBSS138L
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 16202 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138LT1G Виробник : ON Semiconductor bss138lt1-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 200 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 пФ @ 25 В; Rds = 3.5 Ом @ 200 мА, 5 В; Ugs(th) = 1.5 В @ 1 мА; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Без свинцю; SOT-23-3
на замовлення 218 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
142+4.41 грн
152+ 4.12 грн
164+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 142
BSS138LT1G Виробник : On Semiconductor bss138lt1-d.pdf N-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BSS138LT1G (SOT-23, ON) BSS138LT1G (SOT-23, ON)
Код товару: 28421
Виробник : ON bss138lt1-d-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,200 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40/
Монтаж: SMD
товар відсутній