IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
2
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 26.00 грн |
| 10+ | 22.40 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7416TRPBF за ціною від 23.13 грн до 120.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7416TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7416TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2758 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC |
на замовлення 8793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 9119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7416TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF7416TRPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET P-CH, Udss= -30V, Id= -10A, SO-8. -55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 3166 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
IRF7416TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IRF7416TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 25, Qg, нКл = 92 @ 10 В, Rds = 20 мОм @ 5,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вимкількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3026 шт
2900 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.10 грн |
| 100+ | 4.50 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| IRF7832TRPBF Код товару: 30646
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 53 шт
30 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 26.50 грн |
| IRF7201TRPBF Код товару: 42753
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності: 2999 шт
2703 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
198 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
198 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 14.00 грн |
| 10+ | 12.40 грн |
| 100+ | 11.20 грн |
| FDS6679AZ Код товару: 34125
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,0093 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності: 80 шт
69 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 34.50 грн |
| 10+ | 31.90 грн |
| IRLML0030TRPBF Код товару: 37076
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
очікується:
15000 шт
15000 шт - очікується 05.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.90 грн |







