IRF7416TRPBF


irf7416.pdf
Код товару: 25625
2 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 10 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,02 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 40 шт
  • 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+26.00 грн
10+22.40 грн
100+19.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7416TRPBF за ціною від 24.07 грн до 123.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.96 грн
8000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.24 грн
8000+37.87 грн
12000+37.49 грн
20000+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.35 грн
8000+37.97 грн
12000+37.59 грн
20000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+47.97 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+48.10 грн
1000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4321 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.55 грн
10+56.75 грн
100+37.72 грн
250+32.43 грн
500+29.37 грн
1000+27.38 грн
2000+25.65 грн
4000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 73462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.75 грн
183+77.27 грн
244+58.07 грн
500+45.12 грн
1000+38.47 грн
2000+35.64 грн
4000+32.53 грн
8000+31.89 грн
12000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 9276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.02 грн
10+66.56 грн
100+44.32 грн
500+32.62 грн
1000+29.74 грн
2000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.09 грн
10+84.31 грн
25+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 14884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF7416-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineonirf7416datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 14884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF International Rectifier irf7416.pdf MOSFET P-CH, Udss= -30V, Id= -10A, SO-8. -55...+150 Транзистори
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
11+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.96 грн
8000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF infineonirf7416datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+38.24 грн
8000+37.87 грн
12000+37.49 грн
20000+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF infineonirf7416datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+38.35 грн
8000+37.97 грн
12000+37.59 грн
20000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF infineonirf7416datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+47.97 грн
1000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF infineonirf7416datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+48.10 грн
1000+43.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF irf7416qpbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4321 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.55 грн
10+56.75 грн
100+37.72 грн
250+32.43 грн
500+29.37 грн
1000+27.38 грн
2000+25.65 грн
4000+24.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF infineonirf7416datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 73462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
134+105.75 грн
183+77.27 грн
244+58.07 грн
500+45.12 грн
1000+38.47 грн
2000+35.64 грн
4000+32.53 грн
8000+31.89 грн
12000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 9276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.02 грн
10+66.56 грн
100+44.32 грн
500+32.62 грн
1000+29.74 грн
2000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF infineonirf7416datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+123.09 грн
10+84.31 грн
25+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF 1912231.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 14884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF Infineon-IRF7416-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF infineonirf7416datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF 1912231.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 14884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF irf7416.pdf
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH, Udss= -30V, Id= -10A, SO-8. -55...+150 Транзистори
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
4 Додати до обраних Обраний товар
irlml9301pbf-datasheet.pdf
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 804 шт
  • 658 шт - склад
  • 96 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.30 грн
100+4.70 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF
Код товару: 30646
1 Додати до обраних Обраний товар
description irf7832pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560917241d16
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 16 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
  • 10 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF
Код товару: 37076
7 Додати до обраних Обраний товар
irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,027 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2846 шт
  • 974 шт - склад
  • 932 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 480 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 460 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.50 грн
100+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6679AZ
Код товару: 34125
4 Додати до обраних Обраний товар
FD%2FFDS6679AZ.pdf
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 13 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0093 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2890/68
Монтаж: SMD
у наявності: 13 шт
  • 4 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
1+34.50 грн
10+31.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF
Код товару: 42697
10 Додати до обраних Обраний товар
irlml6344pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356689c44262c
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,029 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 650/6,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 5048 шт
  • 4452 шт - склад
  • 495 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+2.90 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.