Продукція > HXY MOSFET > BSS214NWH6327
BSS214NWH6327

BSS214NWH6327 HXY MOSFET

TBSS214nw_HXY_HXY_MOSFET_0001.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 2A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS214NW L6327; BSS214NWH6327XTSA1; BSS214NWH6327-HXY HXY MOSFET TBSS214nw HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS214NWH6327 HXY MOSFET

Description: BSS214 - 250V-600V SMALL SIGNAL, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V.

Інші пропозиції BSS214NWH6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS214NW H6327 Виробник : Infineon
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327 Виробник : Infineon technologies INFNS16757-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327 BSS214NWH6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS16757-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSS214 - 250V-600V SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NW H6327 BSS214NW H6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS214NW_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.