BSS214NWH6327 HXY MOSFET
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 2A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS214NW L6327; BSS214NWH6327XTSA1; BSS214NWH6327-HXY HXY MOSFET TBSS214nw HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 2.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS214NWH6327 HXY MOSFET
Description: BSS214 - 250V-600V SMALL SIGNAL, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-2, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BSS214NWH6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSS214NW H6327 | Infineon |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| BSS214NWH6327 | Infineon technologies |
|
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSS214NW H6327 |
Виробник: Infineon
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| BSS214NWH6327 |
|
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)