Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSS63LT1G за ціною від 1.89 грн до 16.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS63LT1G | ON-Semiconductor |
Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS63LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 95MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS63LT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Frequency: 95MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Current gain: 30 Collector-emitter voltage: 100V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 3345 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS63LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS63LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP |
на замовлення 13933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS63LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 95MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS63LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
кількість в упаковці: 500 шт
Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.89 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16854+ | 2.11 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16854+ | 2.11 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4732+ | 3.00 грн |
| 9000+ | 2.86 грн |
| 27000+ | 2.71 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 109+ | 6.95 грн |
| 184+ | 4.12 грн |
| 294+ | 2.58 грн |
| 500+ | 1.96 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.15 грн |
| 130+ | 6.20 грн |
| 500+ | 4.12 грн |
| 1500+ | 3.35 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 95MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 95MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 10.74 грн |
| 63+ | 6.65 грн |
| 90+ | 4.65 грн |
| 106+ | 3.96 грн |
| 500+ | 2.65 грн |
| 1000+ | 2.29 грн |
| 3000+ | 1.99 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.43 грн |
| 41+ | 7.33 грн |
| 100+ | 4.51 грн |
| 500+ | 3.08 грн |
| 1000+ | 2.70 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
на замовлення 13933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 13.13 грн |
| 41+ | 7.86 грн |
| 100+ | 4.21 грн |
| 500+ | 3.11 грн |
| 1000+ | 2.76 грн |
| 3000+ | 2.69 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 48+ | 16.83 грн |
| 80+ | 10.15 грн |
| 130+ | 6.20 грн |
| 500+ | 4.12 грн |
| 1500+ | 3.35 грн |
| BSS63LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







