BSS63LT1G
Код товару: 173698
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSS63LT1G за ціною від 1.86 грн до 16.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS63LT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 95MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Frequency: 95MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Current gain: 30 Collector-emitter voltage: 100V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 3345 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP |
на замовлення 13933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 95MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSS63LT1G | Виробник : On Semiconductor |
SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 100, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 5, hFE = 30 @ 25 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2.5 мA, 25 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 225 mW |
товару немає в наявності |