Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BSS63LT1G
BSS63LT1G

BSS63LT1G ON Semiconductor

bss63lt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS63LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 95MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS63LT1G за ціною від 1.44 грн до 26.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.15 грн
9000+1.70 грн
24000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5358+2.28 грн
9000+2.08 грн
27000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 5358
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5282+2.31 грн
9000+1.83 грн
24000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 5282
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
6000+2.29 грн
9000+2.15 грн
15000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 20296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.53 грн
39+7.89 грн
100+4.90 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : onsemi BSS63LT1_D-2310634.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
на замовлення 37773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.56 грн
40+8.46 грн
100+3.38 грн
1000+2.50 грн
3000+2.13 грн
9000+1.77 грн
24000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+18.57 грн
68+12.21 грн
158+5.25 грн
500+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G Виробник : ON-Semicoductor bss63lt1-d.pdf Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G Виробник : ONS bss63lt1-d.pdf Транз. Бип.. ММ SOT-23-3 PNP Uce=-100V; Ic=0,1A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+26.98 грн
100+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G
Код товару: 173698
Додати до обраних Обраний товар

bss63lt1-d.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
Current gain: 30
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 95MHz
Current gain: 30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.