Продукція > BSS > BSS63LT1G

BSS63LT1G

bss63lt1-d.pdf
Код товару: 173698
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BSS63LT1G за ціною від 1.61 грн до 12.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON-Semiconductor info-tbss63.pdf Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16854+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 16854
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16854+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 16854
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4732+2.73 грн
9000+2.61 грн
27000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 4732
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.40 грн
1500+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI BSS63LT1G.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 95MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.87 грн
63+6.73 грн
90+4.71 грн
106+4.00 грн
500+2.68 грн
1000+2.31 грн
3000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : onsemi BSS63LT1_D-1802944.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
на замовлення 29796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+11.01 грн
47+6.91 грн
100+4.19 грн
500+2.94 грн
1000+2.31 грн
3000+1.68 грн
6000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ONSEMI 2160727.pdf Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+11.66 грн
110+7.47 грн
157+5.22 грн
500+3.40 грн
1500+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.58 грн
41+7.42 грн
100+4.57 грн
500+3.12 грн
1000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor bss63lt1d.pdf Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G Виробник : On Semiconductor BSS63LT1-D.pdf SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G Виробник : ON Semiconductor BSS63LT1-D.pdf Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 100, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 5, hFE = 30 @ 25 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2.5 мA, 25 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63LT1G BSS63LT1G Виробник : onsemi bss63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.