BSS63LT1G ON Semiconductor
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9037+ | 1.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS63LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 95MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSS63LT1G за ціною від 1.44 грн до 86.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 95MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS63LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP |
на замовлення 29796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSS63LT1G Код товару: 173698
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 95MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 95MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 20296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS63LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSS63LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BSS63LT1G | Виробник : ONSEMI |
BSS63LT1G PNP SMD transistors |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|