Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS 131 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS 79C | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS 98 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-C-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-F-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 50 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tray Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 50 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-F-D-A-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A-TR - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 50 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD Packaging: Tray Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 50 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-025-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD Packaging: Tray Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 100 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 150 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-084-01-F-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-084-01-H-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-084-01-L-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-C-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-100-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 200 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-LC | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-F-D-LC | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Lock Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-H-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-100-01-L-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 200 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-EM2-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-LC | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Lock Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-100-01-L-D-LC-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Features: Board Lock Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-F-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-H-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-H-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-H-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-125-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-150-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-150-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-150-01-F-D-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS EDGE MNT GOLD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-150-01-L-D-LC | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-23 | ABB | Scheuerschutzmuffe,NW23,sw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-4 | Essentra | Essentra | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-5 | Essentra | Essentra | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-7 | Essentra | Essentra | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-8 | Essentra | Other Tools | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS-L100-001 | Isabellenhuette USA | Description: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT Packaging: Tray Power (Watts): 20W Tolerance: ±5% Temperature Coefficient: ±50ppm/°C Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch Type: Current Sensor Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Applications: Automotive AEC-Q200 Resistance: 100 µOhms | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS010A | Essentra | Bumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS010A | Essentra Components | Description: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE Packaging: Bag Color: Natural Size / Dimension: 0.500" Dia (12.70mm) Mounting Type: Push In Material: Nylon Shape: Cylindrical, Tapered Type: Bumper | на замовлення 12496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS015A | Essentra Components | Description: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE Packaging: Bag Color: Natural Size / Dimension: 0.750" Dia (19.05mm) Mounting Type: Push In Material: Nylon Shape: Cylindrical, Tapered Type: Bumper | на замовлення 6735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS015A | Essentra | Bumpers / Feet FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS05-12 | VARCO | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS10 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS100 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS100 | onsemi / Fairchild | MOSFETs DISC BY MFG 2/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS100 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS100 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS100 | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS101 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS11 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS110 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 170mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS110 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS110 | onsemi / Fairchild | MOSFETs DISC BY MFG 2/02 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 | infineon | sot-23 09+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 | infineon | 03/04+ SOT23 | на замовлення 7900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 E6327 | INFINEON | sSh/23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 E6433 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 E7796 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 E7796 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 E7978 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 E7978 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 L7796 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119 L7978 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119L6433 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | на замовлення 86725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119N H6327 | Infineon | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS119N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 40115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119N H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119N H7796 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | onsemi | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 24348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 5178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 2540 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | STMicroelectronics | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 Код товару: 118883
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 24348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 26096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 83909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS119NH7796 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS119NH7978XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS12 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Fairchild | N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ROHM Semiconductor | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | NextGen Components | Description: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 50 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 699000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | HT SEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C; BSS123 SA SOT23 HT SEMI TBSS123 HT кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 22352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | Good-Ark Semiconductor | Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V | на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 583359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2586000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | YFW | N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000m? BSS123-YAN BSS123 TBSS123 c кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 100V 150MA 6@10V,120MA 250MW 2.8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 35998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 22352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2586000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | на замовлення 3 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | Good-Ark Semiconductor | Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V | на замовлення 135420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 583359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 699000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 HXY MOSFET TBSS123 HXY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | на замовлення 192741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 | MDD(Microdiode Electronics) | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -50°C~150°C; BSS123 SOT23 MDD(MICRODIODE) TBSS123 MDD кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 (ONSEMI) Код товару: 207526
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123 0.323MM | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JUXING TBSS123 JUX кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123 E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 E6433 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123 L7874 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 47444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 468000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 447000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | MOSFETs BSS123/SOT23/TO-236AB | на замовлення 57973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 633000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 81504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP Semiconductors | N-кан. MOSFET SOT-23 | на замовлення 644 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 447000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 81504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NXP | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123,215; BSS123.215; BSS123 NXP; BSS123,215 TBSS123 NXP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 144326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 47444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 360mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1245000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 474000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 474000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 38925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 354000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 299989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes INC. | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | на замовлення 47 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 354000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2433000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2433000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F Код товару: 148378
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 360mW | на замовлення 223834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 197056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1245000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 299989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 38925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F .K23 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-AU-R1-000A1 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-E6327 Код товару: 98887
Додати до обраних
Обраний товар
| Siemens | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 0,17 A Rds(on), Ohm: 6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 55/1.78 Монтаж: SMD | у наявності 1742 шт: 757 шт - склад215 шт - РАДІОМАГ-Київ 178 шт - РАДІОМАГ-Львів 199 шт - РАДІОМАГ-Харків 244 шт - РАДІОМАГ-Одеса 149 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-F169 | onsemi | onsemi N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 170 mA, 6O | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-F169 | onsemi | Description: MOSFET N-CH SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-F2-0000HF | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 5,5Ohm; 200mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS123-YAN; BSS123 TBSS123 YY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-G | ON Semiconductor | FET 100V 6.0 MOHM SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 38958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-G | onsemi | Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-G | onsemi | MOSFET FET 100V 6.0 MOHM | на замовлення 11044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-G | onsemi | Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-ML | MOSLEADER | Description: 0.35W 100V 0.17A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-R1-00001 | Panjit | MOSFETs SOT23 100V .17A N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-R2-00001 | Panjit | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 14955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W | на замовлення 6163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 14955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 37865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123.215 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123.215 Код товару: 49331
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 100 V Idd,A: 0,15 A Rds(on), Ohm: 6 Ohm Монтаж: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123/LF1R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123ATA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123ATA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123ATA | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Chnl 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123ATA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123ATC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123DWS-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 271mW (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123DWS-TP | Micro Commercial Components | DUAL N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123DWS-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E-TP | Micro Commercial Components | N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123E6327 | на замовлення 294000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSS123IXTMA1 | Infineon Technologies | Description: 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 31550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.63nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1668 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.63nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 1668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 112583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | на замовлення 17420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 161680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123K-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 3K | на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 230MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W | на замовлення 10432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 450000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 20547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 29990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS - BSS123K-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 280 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 29990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123KHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components | BSS123KHE3-TP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9713 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 71533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 9713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | onsemi / Fairchild | MOSFETs Power MOSFET 170 mA, 100 V, N-Channel SOT-23 | на замовлення 708838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 71533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 19425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 19425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V | на замовлення 97972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L6433XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123L7874XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LG | onsemi | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | ON | SOT23 | на замовлення 437 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | onsemi | MOSFETs 100V 170mA N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1 | ON | на замовлення 3260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 | на замовлення 7270 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 12893 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 167010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1029000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4068000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ONS | Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=100V; Id=0,15A; Pdmax=0,25W; Rds=6 Ohm | на замовлення 168 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1029000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G Код товару: 42430
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 0,17 A Ciss, pF/Qg, nC: 20/ Монтаж: SMD | у наявності 1883 шт: 1391 шт - склад281 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 201 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6440 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3 | на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 12893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4068000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | на замовлення 452 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 167010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | на замовлення 102125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT1G | onsemi | MOSFETs 100V 170mA N-Channel | на замовлення 115007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123LT3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | onsemi | MOSFET NFET SOT23 100V 170MA 6.0 | на замовлення 24496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123M-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123M-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 337W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123M-TP | Micro Commercial Components | N Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123N H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 14650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123N H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 686323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123N H6327 | Infineon | на замовлення 546000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123N H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 26124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 3003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 Код товару: 198093
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 151417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 26945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 43057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 117472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 650280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 151417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 26945 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 12438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.6nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.77A Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 | на замовлення 1373999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 Код товару: 190235
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 39850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 151592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.6nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.77A Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 2748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 11010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 11010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K | на замовлення 30592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | на замовлення 7319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123Q-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123T-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123T-HF | Comchip Technology | 100 V, N Channel MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123T-HF | Comchip Technology | MOSFETs 100V 0.19A SOT-23 | на замовлення 5373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | на замовлення 116125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Chnl 100V | на замовлення 73055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 3246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | на замовлення 116000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3246 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 12494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 12819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 6419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V | на замовлення 1471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 200mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 363000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 200mW BSS123W-7-F Diodes TBSS123w кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2875 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V 200mW | на замовлення 20017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 367456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123W-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs N-Channel Mosfets | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: Interface Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123W-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 276000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 999 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 278049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA | на замовлення 91516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123_D87Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS123_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3342 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.68A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 3342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | на замовлення 15693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123_R1_00001 | PanJit | BSS123_R1_00001 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123_R1_00001 | Panjit | MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | на замовлення 5464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS123_R2_00001 | Panjit | MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS124 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSS125 Код товару: 51591
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 600 V Idd,A: 0,1 A Rds(on), Ohm: 45 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS125 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSS125 | CSE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 125mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.125MXP; 179020.0,125; 0034.1507 Fuse: fast-acting; 125mA Bss125 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126 E6327 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126 E6906 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126 E6906 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 13879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126 H6327 | Infineon | N-MOSFET 600V 0.021A 500Ω 500mW BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327 Infineon TBSS126 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126 H6906 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126 H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 7884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126 L6906 | Infineon Technologies | GaN FETs SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126 транзистор Код товару: 61604
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS126H Код товару: 113030
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS126H6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 700Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2471 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 8069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 700Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion | на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 15299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 77789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 35765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 45108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 44780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 36759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 35765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 105960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 8795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS126L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126SK-13 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GP SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126SK-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126SK-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GP SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS126SK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127 Код товару: 40606
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS127 | Rectron USA | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127 | N/A | SOT-23 05+ | на замовлення 208500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127 E6327 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 16780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 52730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 210mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A On-state resistance: 500Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4791 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A On-state resistance: 500Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 4791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon | N-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 5935 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 46592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 11654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 500 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | на замовлення 5759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 600V Drain current: 70mA On-state resistance: 160Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.61W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 2911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA | на замовлення 25943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 600V Drain current: 70mA On-state resistance: 160Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.61W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2911 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 610mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | на замовлення 153279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127S-7-50 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Field MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127S-7-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | DIODES INCORPORATED | BSS127SSN-7 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | на замовлення 29954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family,SC59 Family,SC59,3K | на замовлення 5477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 2937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS129 | SIEMENS | SMD | на замовлення 101000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS129 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 230V 0.15A 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS129 | PHI | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS13 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS131 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1. Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SLKOR TBSS131 SLK кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131 | YFW | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 240V 100MA 360MW 14@10V,100MA 1. Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 JSMICRO TBSS131 JSM кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131 (SOT-23) Код товару: 33823
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS131 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 26600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | на замовлення 27970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 240V 110mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327 Код товару: 122768
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 240 V Idd,A: 0,11 A Rds(on), Ohm: 14 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1 Монтаж: SMD | у наявності 325 шт: 295 шт - склад30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327 | Infineon Technologies | BSS131 МОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23 | на замовлення 51 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | на замовлення 17522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 669000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 13247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 21810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 13247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 34249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | на замовлення 103951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 21945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS131L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS131L6327XT | INFINEON | 09+ MSOP8 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS134N | INFINEON | SOT-23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS135 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSS135 Код товару: 77919
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 Код товару: 197212
Додати до обраних
Обраний товар
| UMW | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ Монтаж: SMD | у наявності 10837 шт: 8638 шт - склад212 шт - РАДІОМАГ-Київ 680 шт - РАДІОМАГ-Львів 496 шт - РАДІОМАГ-Харків 448 шт - РАДІОМАГ-Одеса 363 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 358015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 855622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 6020 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1281000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | AnBon | N-Channel 50V 220mA 1.6V @ 1mA 3.5? @ 220mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET BSS138 TBSS138 ANB кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 711000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | на замовлення 137637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 61490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 594000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 4865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SOT-23 N-CH LOGIC | на замовлення 645638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 294000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON-Semicoductor | N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ONSEMI | BSS138-ONS SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 Код товару: 144172
Додати до обраних
Обраний товар
| YJ | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | Yangjie Electronic Technology | Trans MOSFET N-CH 50V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 933000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 615000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 711000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1970 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1746000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | HT SEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 HT SEMI TBSS138 HTSEMI кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | Microdiode Electronics | BSS138 | на замовлення 4614000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | YFW | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS1 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | Microdiode Electronics | BSS138 | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | на замовлення 137637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 960000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 358015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3435000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | Good-Ark Electronics | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 960000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23-3 CJ TBSS138 CJ кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 594000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 4865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | Microdiode Electronics | BSS138 | на замовлення 1125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | Good-Ark | Good-Ark Semiconductor BSS138. Single configuration 50 V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 670 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | On Semiconductor/Fairchild | SOT-223, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=220mA, -55...+150 | на замовлення 27 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 61490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 (CET) Код товару: 26318
Додати до обраних
Обраний товар
| CET | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 (CJ, SOT-23) Код товару: 186257
Додати до обраних
Обраний товар
| CJ | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 27/ Монтаж: SMD | у наявності 1687 шт: 1258 шт - склад100 шт - РАДІОМАГ-Київ 70 шт - РАДІОМАГ-Львів 99 шт - РАДІОМАГ-Харків 100 шт - РАДІОМАГ-Одеса 60 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується 9000 шт: 9000 шт - очікується 03.05.2025 |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 (Diodes, SOT-23) Код товару: 125280
Додати до обраних
Обраний товар
| Diodes | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 (ON, SOT-23) Код товару: 161156
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 12969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | на замовлення 44704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138 SOT23 | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138 SS | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SHIKUES TBSS138 SHK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138(G9-49) | NS | 2000 | на замовлення 2520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138(SS) | FAIRCHILD | 00+ SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8620000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5940000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6460000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1310000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6970000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1730000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2890000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 650000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4060000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7630000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8060000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4850000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6060000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6610000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1530000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7450000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3820000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4440000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8040000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8620000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6990000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1870000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 680000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7630000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4820000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8620000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7620000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6460000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1310000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family | на замовлення 725218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6810000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1650000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 550000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2890000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 650000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3900000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7550000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4440000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8060000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4890000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8820000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6040000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1530000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2050000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7490000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 3760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7940000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-13P | Micro Commercial Components | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-13P | Micro Commercial Components | BSS138-13P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-13P | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 360mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2739000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 448410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | DIODES/ZETEX | Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO | на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 744000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2739000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs 300mW 50V DSS | на замовлення 166759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Multicomp | BSS138-7-F | на замовлення 378000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 378000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 53689 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 53689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 448410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 744000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 291027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F .K38 | DIODES/ZETEX | Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 285 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-50 | Diodes Inc | BSS Family SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-52 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-7-F. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET N Channel Transistors productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS138-AU-R1-000A1 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-AU-R2-000A1 | Panjit | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-D87Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-E6327 | на замовлення 828 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSS138-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SINGLE NCH LOG LEVEL FIELD EFFECT XTOR | на замовлення 5297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-F169 | onsemi | Description: 50V N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS138-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | BSS138 SOT-23, N-channe MOSFET, Udss=50V, Id=340mA, -55...+150 | на замовлення 3415 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |