Продукція > BSS
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS 131 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS 79C | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS 98 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin TO-92 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-025-01-C-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-025-01-F-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 50 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-025-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS-025-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-025-01-F-D-A-TR | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A-TR - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 50 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-025-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS-025-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD Packaging: Tray Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 50 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-025-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS-025-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-050-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS-050-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-050-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-050-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD Packaging: Tray Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 100 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS-050-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS-050-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-050-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 150 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-075-01-F-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-084-01-F-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-084-01-H-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-084-01-L-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 168 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-C-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-100-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 200 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-LC | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Lock Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-F-D-LC | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Features: Board Guide Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-H-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A | SAMTEC | Description: SAMTEC - BSS-100-01-L-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Rastermaß: 0.635 Anzahl der Kontakte: 200 Mezzanine-Steckverbinder: Buchse Anzahl der Reihen: 2 Kontaktmaterial: Phosphorbronze Steckverbindermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: BSS SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-A-TR | Samtec | Conn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-DP-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE Packaging: Tube Connector Type: Differential Pair Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-EM2-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-LC | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Lock Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-100-01-L-D-LC-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Lock Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 200 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Part Status: Active Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-F-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-F-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-H-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-H-D | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-H-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-H-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tube Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D-A | Samtec | Conn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-125-01-L-D-A-TR | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Board Guide Connector Type: Socket, Center Strip Contacts Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 250 Pitch: 0.025" (0.64mm) Height Above Board: 0.135" (3.43mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 5mm Number of Rows: 2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-150-01-C-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-150-01-F-D-A | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-150-01-F-D-EM2 | Samtec Inc. | Description: CONN SOCKET 300POS EDGE MNT GOLD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-4 | Essentra | Essentra | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-5 | Essentra | Essentra | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-7 | Essentra | Essentra | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS-8 | Essentra | Other Tools | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS010A | Essentra Components | Description: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE | на замовлення 13996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS015A | Essentra Components | Description: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE | на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS015A | Essentra | Mounting Fixings FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS05-12 | VARCO | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS10 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS100 | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS100 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS100 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS100 | onsemi / Fairchild | MOSFET DISC BY MFG 2/02 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS100 | HBE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS101 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS11 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS110 | onsemi / Fairchild | MOSFET DISC BY MFG 2/02 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS110 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS110 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 | infineon | sot-23 09+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS119 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 | infineon | 03/04+ SOT23 | на замовлення 7900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS119 E6327 | INFINEON | sSh/23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS119 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 E6433 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 E7796 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 E7796 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 E7978 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 E7978 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 L6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 L7796 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119 L7978 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119L6433 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V | на замовлення 86725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119N H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 43985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119N H6327 | Infineon | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS119N H7796 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 32465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2920 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | onsemi | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 41832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.406ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 32465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | STMicroelectronics | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 Код товару: 118883 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 2790 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 38650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 108200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS119NH7796 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 8803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS119NH7978XTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS12 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS123 | SHIKUES | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Technology: TRENCH POWER MV Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A On-state resistance: 5.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 25 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V | на замовлення 115787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 | на замовлення 358181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 GALAXY TBSS123 GAL кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | Good-Ark Semiconductor | Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V | на замовлення 8586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | onsemi / Fairchild | MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC | на замовлення 175098 шт: термін постачання 516-525 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JUXING TBSS123 JUX кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.36W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.36W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 | на замовлення 358181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | Fairchild | N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | Good-Ark Semiconductor | Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | ROHM Semiconductor | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Technology: TRENCH POWER MV Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A On-state resistance: 5.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 E6433 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 L6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123 L7874 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123,215 | NXP | N-MOSFET 100V 150mA 6Ω 250mW BSS123,215 BSS123 NXP TBSS123 NXP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 331185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 24510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NXP Semiconductors | N-кан. MOSFET SOT-23 | на замовлення 289 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2139000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | MOSFET BSS123/SOT23/TO-236AB | на замовлення 117462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NXP | N-MOSFET 100V 150mA 6Ω 250mW BSS123,215 BSS123 NXP TBSS123 NXP кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 9075 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2139000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2139000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 145503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 24510 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 145503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-13P | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-13P | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 360mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 267980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 360mW | на замовлення 145214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F Код товару: 148378 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 981000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 353275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 7920 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2094000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 266610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2095500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 353275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes INC. | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | на замовлення 47 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 7920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2094000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F .K23 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F .K23 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-E6327 Код товару: 98887 | Siemens | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 0,17 A Rds(on), Ohm: 6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 55/1.78 Монтаж: SMD | у наявності 3822 шт: 1171 шт - РАДІОМАГ-Львів1232 шт - РАДІОМАГ-Харків 1031 шт - РАДІОМАГ-Одеса 388 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BSS123-F169 | onsemi | Description: MOSFET N-CH SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-F169 | onsemi | onsemi N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 170 mA, 6O | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-G | onsemi | MOSFET FET 100V 6.0 MOHM | на замовлення 23469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-G | ON Semiconductor | FET 100V 6.0 MOHM SOT23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-G | onsemi | Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-G | onsemi | Description: FET 100V 6.0 MOHM SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-R1-00001 | Panjit | MOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-100TMN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-R2-00001 | Panjit | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W | на замовлення 11168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 5010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.68A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.68A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123.215 Код товару: 49331 | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 100 V Idd,A: 0,15 A Rds(on), Ohm: 6 Ohm Монтаж: SMD | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS123/LF1R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123ATA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123ATA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123ATA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123ATC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123E6327 | на замовлення 294000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BSS123E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123IXTMA1 | Infineon Technologies | Description: 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | на замовлення 13700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 48218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm | на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.5W Gate charge: 0.63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.77A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 3220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm | на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.5W Gate charge: 0.63nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.77A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 3220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123K-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123K-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 230MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123K-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BSS Family SOT23 T&R 3K | на замовлення 2990 шт: термін постачання 92-101 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 42865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123K-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W | на замовлення 24836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 780mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123KHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L | onsemi / Fairchild | MOSFET Small Signal MOSFET 100V 170mA 6 Ohm Single N-Channel SOT-23 | на замовлення 743804 шт: термін постачання 771-780 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.36W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Features of semiconductor devices: logic level Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.36W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L6433XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123L7874XT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123LG | onsemi | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123LT1 | onsemi | MOSFET 100V 170mA N-Channel | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123LT1 | ON | SOT23 | на замовлення 437 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123LT1 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123LT1 | ON | на замовлення 3260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS123LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | на замовлення 44231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 48025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON-Semicoductor | N-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | n-канальний польовий транзистор SOT-23-3 | на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3 | на замовлення 452 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | на замовлення 44231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1695000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON-Semicoductor | N-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 6201 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1680000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON-Semicoductor | N-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ONS | Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=100V; Id=0,15A; Pdmax=0,25W; Rds=6 Ohm | на замовлення 89 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1695000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 48025 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G Код товару: 42430 | ON | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 0,17 A Ciss, pF/Qg, nC: 20/ Монтаж: SMD | у наявності 3022 шт: 2801 шт - склад9 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 202 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT1G | onsemi | MOSFET 100V 170mA N-Channel | на замовлення 299084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123LT3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123LT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123LT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123LT7G | onsemi | MOSFET NFET SOT23 100V 170MA 6.0 | на замовлення 24496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123LT7G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 825856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123N H6327 | Infineon | на замовлення 546000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS123N H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123N H6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 39711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 3003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS123NH6327XT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 173015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 44950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 259043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.5W Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.77A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 35881 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 Код товару: 198093 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 173015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 0.5W Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.77A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 35881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 785843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 258000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 Код товару: 190235 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 | на замовлення 563999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhanced | на замовлення 3915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 24419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 560000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 | на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V | на замовлення 233545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 3915 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 24419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 560000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K | на замовлення 59305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Application: automotive industry Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.68A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Application: automotive industry Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.68A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Application: automotive industry Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K | на замовлення 7270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Application: automotive industry Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 970 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123Q-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123T-HF | Comchip Technology | MOSFET 100V 0.19A SOT-23 | на замовлення 7215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123T-HF | Comchip Technology | 100 V, N Channel MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123T-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 645 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | на замовлення 311038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 100V | на замовлення 92146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.68A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 17196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123W | YY | 100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W TBSS123W YY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Technology: TRENCH POWER MV Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A On-state resistance: 5.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 17196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123W | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A Technology: TRENCH POWER MV Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Gate charge: 2.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.16A On-state resistance: 5.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W Mounting: SMD Case: SC70; SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.68A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 17196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123W | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123W | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 3188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V | на замовлення 3653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 200mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 482821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 100V 170mA 6Ω 200mW BSS123W-7-F Diodes TBSS123w кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 3210 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 200mW | на замовлення 59451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 3210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123W-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Channel Mosfets | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Mounting: SMD Case: SOT323 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123W-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA | на замовлення 208197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry | на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 8883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 326413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1335 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | на замовлення 8883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 326575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123_D87Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS123_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.5W Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.68A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 1765 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123_R1_00001 | Panjit | MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | на замовлення 9879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: SOT-23, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | на замовлення 12805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.5W Gate charge: 1.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.68A Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS123_R2_00001 | Panjit | MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS124 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BSS125 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BSS125 Код товару: 51591 | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 600 V Idd,A: 0,1 A Rds(on), Ohm: 45 Ohm Монтаж: THT | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS125 | CSE | Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 125mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.125MXP; 179020.0,125; 0034.1507 Fuse: fast-acting; 125mA Bss125 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126 E6906 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126 E6906 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126 H6327 | Infineon | N-MOSFET 600V 0.021A 500Ω 500mW BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327 Infineon TBSS126 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 32840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126 H6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 9015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126 H6906 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126 L6906 | Infineon Technologies | MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126 транзистор Код товару: 61604 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS126H Код товару: 113030 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS126H6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 700Ω Mounting: SMD Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2785 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | на замовлення 122254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 700Ω Mounting: SMD Kind of channel: depleted | на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 21755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 21755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 20820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 39831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 585000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 43663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | на замовлення 7363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 44677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 39831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 43663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 4710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | на замовлення 4479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS126L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126SK-13 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GP SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126SK-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126SK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS126SK-7 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GP SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127 Код товару: 40606 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS127 | Rectron USA | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 21MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127 | N/A | SOT-23 05+ | на замовлення 208500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS127 | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127 E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 210mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127H6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, BRT, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3 | на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 500Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, BRT, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 500Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced | на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | на замовлення 71333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127H6327XTSA2 | Infineon | N-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 5935 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | на замовлення 7163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 500 Ohm | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | на замовлення 16241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 432000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 610mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 70mA Power dissipation: 0.61W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 160Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 10340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 432000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA | на замовлення 42807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 70mA Power dissipation: 0.61W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 160Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10340 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 279000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | на замовлення 267672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127S-7-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127S-7-50 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Field MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40mA Pulsed drain current: 0.16A Power dissipation: 0.61W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 190Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.08nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BSS Family,SC59 Family,SC59,3K | на замовлення 12082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 40mA Pulsed drain current: 0.16A Power dissipation: 0.61W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 190Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.08nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V | на замовлення 127914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS127SSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS129 | SIEMENS | SMD | на замовлення 101000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS129 | PHI | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS129 | Vishay | Trans MOSFET N-CH Si 230V 0.15A 3-Pin TO-92 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS13 | PHI/MOT | на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
BSS131 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131 | YFW | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131 (SOT-23) Код товару: 33823 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS131 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS131 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | на замовлення 59929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 26600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131 H6327 | Infineon | N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131 L6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS131 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 240V 110mA SOT-23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS131E6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS131E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS131H6327 | Infineon Technologies | BSS131 МОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23 | на замовлення 51 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS131H6327 Код товару: 122768 | Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 240 V Idd,A: 0,11 A Rds(on), Ohm: 14 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1 Монтаж: SMD | у наявності 490 шт: 490 шт - склад |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | на замовлення 22754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 414000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm | на замовлення 106234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 414000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 345 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A On-state resistance: 14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm | на замовлення 106234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 | на замовлення 219829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A On-state resistance: 14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS131L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS131L6327XT | INFINEON | 09+ MSOP8 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS131L6327XT | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS134N | INFINEON | SOT-23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS135 Код товару: 77919 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS135 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | AnBon | N-Channel 50V 220mA 1.6V @ 1mA 3.5? @ 220mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET BSS138 TBSS138 ANB кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | LGE | Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 670 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | HT Jinyu Semiconductor | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 711000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | ON-Semicoductor | N-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 340 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | на замовлення 119450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | Good-Ark Electronics | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | onsemi / Fairchild | MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC | на замовлення 145799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | ON-Semicoductor | N-MOSFET 200mA 50V 360mW 3.5? BSS138L BSS138 BSS138TA BSS138LT3G BSS138-YAN BSS138-TP [BSS138LT7G(2.75V,5V)] BSS138LT1G smd TBSS138L кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1015 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 Код товару: 197212 | UMW | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/ Монтаж: SMD | у наявності 10917 шт: 9917 шт - склад1000 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS138 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | YY | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS1 кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | Yangjie Electronic Technology | Trans MOSFET N-CH 50V 0.34A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 933000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | Microdiode Electronics | BSS138 | на замовлення 588000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | JUXING | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | Microdiode Electronics | BSS138 | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | AnBon | N-Channel 50V 220mA 1.6V @ 1mA 3.5? @ 220mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET BSS138 TBSS138 ANB кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | на замовлення 119449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | SLKOR | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 Код товару: 144172 | YJ | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | GALAXY | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | Good-Ark | Good-Ark Semiconductor BSS138. Single configuration 50 V N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 (CET) Код товару: 26318 | CET | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 (CJ, SOT-23) Код товару: 186257 | CJ | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 27/ Монтаж: SMD | у наявності 2925 шт: 2379 шт - склад95 шт - РАДІОМАГ-Київ 117 шт - РАДІОМАГ-Львів 80 шт - РАДІОМАГ-Харків 54 шт - РАДІОМАГ-Одеса 200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується 8000 шт: 8000 шт - очікується 08.04.2024 |
| ||||||||||||||||||
BSS138 (Diodes, SOT-23) Код товару: 125280 | Diodes | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 (ON, SOT-23) Код товару: 161156 | ON | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 50 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 50/- Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET | на замовлення 21839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | на замовлення 55930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V Power Dissipation (Max): 357mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138 RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138(G9-49) | NS | 2000 | на замовлення 2520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS138(SS) | FAIRCHILD | 00+ SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 7640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7620000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 550000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 650000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 650000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Incorporated | MOSFET BSS Family | на замовлення 774254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 640000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 680000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-13P | Micro Commercial Components | BSS138-13P | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-13P | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-13P | Micro Commercial Components | N-Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V 360mW | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1491000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 521991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Incorporated | N-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD) | на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 0 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0 euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 0 Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 | на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 675000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 675000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 521991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1491000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 663000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET 300mW 50V DSS | на замовлення 681823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 68633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F .K38 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 50V 200mA 3.5mΩ 300mW BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F .K38 | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 50V 200mA 3.5mΩ 300mW BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1115 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-7-F-50 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F-50 | Diodes Inc | BSS Family SOT23 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F-52 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 3K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F-79 | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET N Channel Transistors productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-AU-R2-000A1 | Panjit | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-D87Z | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-E6327 | на замовлення 828 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BSS138-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET SINGLE NCH LOG LEVEL FIELD EFFECT XTOR | на замовлення 5297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS138-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-F169 | onsemi | Description: 50V N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-G | onsemi | Description: FET 50V 3.5 OHM SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | на замовлення 8902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-G | Comchip Technology | MOSFET 50V 0.22A SOT-23 | на замовлення 36177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-G | ON Semiconductor | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-G | onsemi | MOSFET FET 50V 3.5 OHM | на замовлення 209135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-G | Comchip Technology | N-Channel MOSFET | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-G | onsemi | Description: FET 50V 3.5 OHM SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | на замовлення 8902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-HF | Comchip Technology | Description: MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220A, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-HF | Comchip Technology | MOSFET MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT-23 | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-NL | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BSS138-R1-00001 | Panjit | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-R2-00001 | Panjit | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-SB9G001 | ON Semiconductor | BSS 138 SOT23 FSC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1494000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2037000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2268000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1254000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 759000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2625000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components Corp. | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 BSS138-TP SOT23-3 MCC TBSS138-TP кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1473000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2574000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP Код товару: 189195 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1530000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2988000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components Corp. | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 BSS138-TP SOT23-3 MCC TBSS138-TP кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1101000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 435000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1035000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 64092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W | на замовлення 140938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2268000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 64495 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 435000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 64495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1254000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 753000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1101000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components Corp. | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 BSS138-TP SOT23-3 MCC TBSS138-TP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3594000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1452000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138/SS | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
BSS138; 0,22A; 50V; 0,32W; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; MCC | на замовлення 25 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1578000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1632000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W | на замовлення 8920 шт: термін постачання 141-150 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 170 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1581000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1581000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8 pF @ 25 V | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138A-TP | Micro Commercial Components Corp. | Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 1,6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138A-TP TBSS138A-TP кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138A-TP-HF | Micro Commercial Components (MCC) | MCC N-Channel Mosfets | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138A-TP-HF | Micro Commercial Components | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 620mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 620mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET 50Vds 20Vgs N-Ch FET | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AK-QR | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AK-QR | Nexperia | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AK-QR | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): 20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AK-QR | Nexperia | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKA/LF1R | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.06W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 25828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | MOSFET BSS138AKA/SOT23/TO-236AB | на замовлення 448799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.125A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 6175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKAR | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.125A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 6175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKDW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKDW-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 10736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKDW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKDW-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKDW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKDW-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKDW-TPQ2 | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKDWHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET Dual 50Vds 20Vgs N-Ch FET | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKS-QX | Nexperia | BSS138AKS-QX | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKS-QX | Nexperia | BSS138AKS-QX | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKW-QX | Nexperia | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKW-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138AKW-QX | Nexperia | Nexperia MOSFET-LOW VOLT SOT323/SC-70 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKW-QX | Nexperia | N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138AKW-QX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138B-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MCC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138B-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BK | Nexperia | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 360 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 42 @ 10; Qg, нКл = 9,6 @ 4,5 В; Rds = 1 Ом @ 0,35 A, 10 В; Ugs(th) = 1.1 В @ 250 мкА; Опис N-канальний ПТ; Р, Вт = 0,42 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 | на замовлення 118 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BSS138BK - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFETs N-Channel productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 61924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 505283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | Nexperia | MOSFET BSS138BK/SOT23/TO-236AB | на замовлення 160185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | NXP | N-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW BSS138BK,215 BSS138BK NXP TBSS138bk кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 31290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 28570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 787199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 117000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 447000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 501000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 60718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 60718 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 787199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 28570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138BK,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK,215 Код товару: 131639 | Nexperia | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 0,36 A Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 42/0,6 Монтаж: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BK-TP | Micro Commercial Co | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V | на замовлення 1244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BK-TP | Micro Commercial Components | BSS138BK-TP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BK-TP | Micro Commercial Co | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BK-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BK-TP | Micro Commercial Components | BSS138BK-TP | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BK/DG/B2 | NEXPERIA | 60 V, 360 MA N-CHANNEL TRENCH MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKAHZGT116 | ROHM Semiconductor | MOSFET 60V N-CHANNEL 400MA AUTOMOTIVE | на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKDW-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKDW-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKDW-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 5755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKDW-TPQ2 | Micro Commercial Co | Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKDW-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKS | Nexperia | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 73785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.32W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 4055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 8166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 457762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 8166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS138BKS,115 - Dual-MOSFET, Trench, n-Kanal, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 320mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 320mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 73785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | Nexperia | MOSFET BSS138BKS/SOT363/SC-88 | на замовлення 448212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.32W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4055 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 453000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKS/S500X | Rochester Electronics, LLC | Description: BSS138BKS/X - Small Signal Field Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKS/S500X,115 | Nexperia USA Inc. | Description: BSS138BKS - 60V, 320MA DUAL N-CH Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKSH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKSH | Nexperia | MOSFET BSS138BKS/SOT363/SC-88 | на замовлення 19412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKSH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKSH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKSH | NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKSH | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKSH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKT-TP | Micro Commercial Co | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 270mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V | на замовлення 3313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKT-TP | Micro Commercial Co | Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 270mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKT-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
BSS138BKT116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKT116 | ROHM | Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKT116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
BSS138BKT116 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V | на замовлення 19070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKT116 | ROHM Semiconductor | MOSFET N CHAN 60V SOT23 | на замовлення 32602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKT116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKT116 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 60V 400MA SMALL SIGNAL MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
BSS138BKT116 | ROHM | Description: ROHM - BSS138BKT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.49 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|