BUK7K6R2-40EX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 35.66 грн |
| 3000+ | 31.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK7K6R2-40EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK7K6R2-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BUK7K6R2-40EX за ціною від 36.99 грн до 189.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs Dual N-channel 40 V, 6.8 mΩ standard level MOSFET |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K6R2-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56DPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 68W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56D Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K6R2-40EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 68W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 68W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX Код товару: 170638
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
BUK7K6R2-40EX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BUK7K6R2-40EX | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 40A; Idm: 308A; 68W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 32.3nC On-state resistance: 5.8mΩ Drain current: 40A Power dissipation: 68W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 308A Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Case: LFPAK56D; SOT1205 |
товару немає в наявності |


