НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK100-50
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK100-50GLPHILIPS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK100-50GLNXP SemiconductorsMOSFET RAIL TOPFET
товар відсутній
BUK100-50GL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 13.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
BUK100-50GL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 85mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 13.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220AB
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK100-50GL,127NexperiaNexperia RAIL TOPFET
товар відсутній
BUK10050DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10050GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10050GS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK101-0GL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK101-50
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK101-50DL
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK101-50DL(транзистор)
Код товару: 72810
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Монтаж: THT
товар відсутній
BUK101-50GLPHILIPS08+ QFN
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK101-50GL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 26A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
BUK101-50GL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR TOPFET LOGIC LVL TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 26A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220AB
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
товар відсутній
BUK101-50GL,127
Код товару: 156150
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUK101-50GS
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK101-50GS,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 35mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 29A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220AB
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
товар відсутній
BUK101050GSTO220/
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10150
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10150DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10150GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10150GS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK102-50
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10250DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10250GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10250GSPHILIPS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK104-50L
Код товару: 51395
Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
товар відсутній
BUK104-50L
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10450L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10450LP
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10450S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10450SP
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK106PHI00+
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK106-50L
Код товару: 101824
Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
товар відсутній
BUK106-50L,127NXP SemiconductorsSOT263 LS TOPFET SOT2
товар відсутній
BUK10650L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10650LP
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10650S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10650SP
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK107-50DLPhilipsТранз. Пол. БМ N-MOSFET SOT223 Udss=50V; Id=0,7A; Pdmax=1,8W; Rds=0,2 Ohm
на замовлення 99 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
BUK107-50DLPHILIPS09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK107-50DL,115NXP SemiconductorsDescription: TOPFET LOGIC LVL 50V SOT-223
товар відсутній
BUK10750DL
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10750DS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10750GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK108-500L
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK108-50DLPH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK108-50DLPHILIPSTO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK108-50DL /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
товар відсутній
BUK108-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
товар відсутній
BUK108-50DL,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
товар відсутній
BUK10850DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10850GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10850GS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK109-50
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK109-500DPHILIPS
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK109-500L
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK109-50DL
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK109-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
товар відсутній
BUK109-50DL,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
товар відсутній
BUK109-50DL/T3NXP SemiconductorsMOSFET
товар відсутній
BUK109-55
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10950DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10950GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK10950GS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK110-50GLPHILIPSTO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK110-50GL /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
товар відсутній
BUK110-50GL,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
товар відсутній
BUK110-50GL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 45A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK11050DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK11050GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK11050GS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK11150GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK11250GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK11350DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK114-50LPH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK114-50L
Код товару: 46243
Мікросхеми > Джерел живлення
товар відсутній
BUK114-50L,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5V
Current - Output (Max): 15A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
товар відсутній
BUK11450L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK11450S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK116-50LPHISOT263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK116-50L,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 22mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5V
Current - Output (Max): 50A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
товар відсутній
BUK11650L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK11650S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK117-50DL
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK117-50DL,127NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 12A TO220AB
товар відсутній
BUK11750DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK118-50DLPH
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK118-50DL,127NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 24A TO220AB
товар відсутній
BUK11850DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK119-50DL
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK119-50DL,127NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 43A TO220AB
товар відсутній
BUK11950DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK124-50L
Код товару: 46271
Мікросхеми > Джерел живлення
товар відсутній
BUK124-50LNXP SemiconductorsMOSFET RAIL TOPFET
товар відсутній
BUK124-50L,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
товар відсутній
BUK12450L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK125-50L
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK125-50L,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
товар відсутній
BUK12550L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK127-50DL,115NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 700mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-73
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товар відсутній
BUK127-50GT,115NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-73
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK127-50GT,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 50V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BUK127-50GT/127GT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK12750DL
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK12750GT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK128-50DLPHILIPSTO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK128-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
товар відсутній
BUK128-50DL/C1,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK12850DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK129-50DL
Код товару: 32499
PhilipsМікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
Корпус: SOT-404
Функціональний опис: Logic level TOPFET SMD version
Напр.живлення: 50 V
Темп.діапазон: -55...+150°C
товар відсутній
BUK129-50DLPHILIPSTO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK129-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товар відсутній
BUK129-50DL,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK129-50DL/C1,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK12950DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK130-50DLPHILIPSTO-263
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK130-50DL,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 20A D2PAK
товар відсутній
BUK13050DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK135-50LPHILIPS07PB
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK135-50LPHILIPS09+
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK135-50L,118NXP SemiconductorsDescription: TOPFET LOGIC LVL 50V D2PAK
товар відсутній
BUK13550L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK136-50L,118NXP USA Inc.Description: TOPFET LOGIC LVL 50V D2PAK
товар відсутній
BUK13650L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK138-50DLPH
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK138-50DL
Код товару: 118486
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUK138-50DLNXPTO252
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK138-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 68mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK138-50DL,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK138-50DL/C1,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 68mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK138-50DL/C1,118NXP SemiconductorsMOSFET TransMOSFET N-CH 50V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
BUK13850DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK139-50DL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK139-50DL,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK139-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK139-50DL/C1,118NXP SemiconductorsMOSFET TransMOSFET N-CH 50V 16A 3-Pin(2+Tab)DPAK
товар відсутній
BUK139-50DL/C1,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK13950DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK148-50DL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 68mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: I2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK14850DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK149-50DL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: I2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK14950DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK150-50DL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 22mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 20A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: I2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK15050DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK1M10050SGTD
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK1M200-50SDLD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK1M200-50SDLD,11NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 50V 20-Pin SO T/R
товар відсутній
BUK1M200-50SDLD,11NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
товар відсутній
BUK1M200-50SDLD,51NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
товар відсутній
BUK1M200-50SDLDT/RNXP SemiconductorsMOSFET TOPFET MULTICHAN FET
товар відсутній
BUK1M200-50SGTD,11NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
товар відсутній
BUK1M200-50SGTD,51NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
товар відсутній
BUK1M20050SDLD
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK1M20050SGTD
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20050X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20050Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20150X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20150Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK202-50Y
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK202-50YNXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution RAIL TOPFET
товар відсутній
BUK202-50Y
Код товару: 143478
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
BUK202-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CH 1:1 SOT263B
Features: Status Flag
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 20A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
товар відсутній
BUK202-50Y,127NexperiaPower Switch ICs - Power Distribution TOPFET HIGH SIDE SW
товар відсутній
BUK202-50Y,127NXP SemiconductorsSmart High-Side Current Switch
товар відсутній
BUK202-50Y/BNXP SemiconductorsHigh-Side Current Switch
товар відсутній
BUK20250
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20250X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20250Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20350X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20350Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK204-50Y /T3NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET2
товар відсутній
BUK204-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 77mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 40V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
товар відсутній
BUK20450X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20450Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK205-50Y
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK205-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 40V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
товар відсутній
BUK20550X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20550Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK206PHI00+
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20650
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20650X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20650Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20750X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK20750Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK208-50Y
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK208-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товар відсутній
BUK20850Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK209-50YNXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TOPFET HIGH SIDE SW
товар відсутній
BUK209-50Y
Код товару: 139258
Мікросхеми > Джерел живлення
товар відсутній
BUK209-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK209-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CH 1:1 SOT263B
Features: Status Flag
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK209-50Y,127NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TOPFET HIGH SIDE SW
товар відсутній
BUK20950Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK210-50A
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK210-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK210-50Y,127
Код товару: 84224
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUK210-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Features: Status Flag
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товар відсутній
BUK210-50Y,127NXP SemiconductorsHigh Side Current Limit Switch
товар відсутній
BUK21050Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK2114-50SYTS /T3NXP SemiconductorsGate Drivers TOPFET HIGH SIDE FET
товар відсутній
BUK2114-50SYTS,118NXP SemiconductorsHigh Side Switch
товар відсутній
BUK2114-50SYTS,118NXP SemiconductorsGate Drivers TOPFET HIGH SIDE FET
товар відсутній
BUK2114-50SYTS,118NXP USA Inc.Description: IC PWR TOPFET HI SIDE SW SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 14mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK212-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK212-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
товар відсутній
BUK21250Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK213TO-263-5
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK213-50YNXP08+ SMD
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK213-50YPHILIPS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK213-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK213-50Y /T3NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET
товар відсутній
BUK213-50Y,118NXP SemiconductorsSingle channel high-side with current limit function
товар відсутній
BUK213-50Y,118NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET
товар відсутній
BUK213-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товар відсутній
BUK214-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK214-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK214-50Y,118NXP SemiconductorsHigh-Side Current Switch
товар відсутній
BUK21450Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK215TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK215-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK215-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
товар відсутній
BUK215-50Y,118NXP SemiconductorsHigh Side Switch with current limit function
товар відсутній
BUK215-50Y,118
Код товару: 84226
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUK21550Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK21550YT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK21650YT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK217N/A
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK217-50YNXP09+ LQFP80
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK217-50Y,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 44A SOT426
товар відсутній
BUK217-50YT,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 44A SOT426
товар відсутній
BUK21750Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK21750YT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK218-50DC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK218-50DC,118NXP USA Inc.Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 35V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 8A, 8A
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK218-50DC,118NXP SemiconductorsDual High Side Switch
товар відсутній
BUK218-50DYPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK218-50DY,118NXP USA Inc.Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 35V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 8A, 8A
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK218-50DY,118NXP SemiconductorsHigh Side Current Limit Switch
товар відсутній
BUK21850DC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK21850DY
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK219-50YNXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution RAIL TOPFET2
товар відсутній
BUK219-50Y
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK219-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
товар відсутній
BUK219-50Y,127NXP SemiconductorsHigh Side Current Limit Switch
товар відсутній
BUK219-50Y,127NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution BUK219-50Y/SOT263/RAILH//
товар відсутній
BUK21950Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK220-50YPH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK220-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
товар відсутній
BUK220-50Y,118NXP SemiconductorsHigh side switch with Load current limiting
товар відсутній
BUK22050Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK221-50DYPH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK221-50DY,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 73mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK-7
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK22150DY
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK223-50Y
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK223-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
товар відсутній
BUK22350Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK224-50Y
Код товару: 48743
Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
товар відсутній
BUK224-50YNXP
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK224-50Y /T3NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET2
товар відсутній
BUK224-50Y,118NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET2
товар відсутній
BUK224-50Y,118NXP SemiconductorsHigh side switch with Load current limiting
товар відсутній
BUK224-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 22mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK22450Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK2914-50SYTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK2914-50SYTS,127NXP USA Inc.Description: IC PWR TOPFET HI SIDE SOT263B-01
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 14mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: SOT263B-01
товар відсутній
BUK3F00-50WDFENXP SemiconductorsController 5.5V to 52V 64-Pin PQFP
товар відсутній
BUK3F00-50WDFE,518Nexperia USA Inc.Description: IC 9675 AUTO 64QFP
товар відсутній
BUK3F00-50WDFE,518NexperiaNexperia
товар відсутній
BUK3F00-50WDFMPHILIPS06+
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK3F00-50WDFMNXP
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK3F00-50WDFM
Код товару: 105113
Мікросхеми > Інтерфейсні
товар відсутній
BUK3F00-50WDFM,518Nexperia USA Inc.Description: IC 9675 AUTO 64QFP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товар відсутній
BUK3F00-50WDFM,518NexperiaNexperia
товар відсутній
BUK3F00-50WFEANexperiaNexperia
товар відсутній
BUK3F00-50WFEA,518Nexperia USA Inc.Description: 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I
товар відсутній
BUK3F00-50WGFANexperiaNexperia
товар відсутній
BUK3F00-50WGFA,518Nexperia USA Inc.Description: 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I
товар відсутній
BUK416-200AEST
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK416200AEBE
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK417-500AEST
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK417-500BEST
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK417500AEBE
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK4261000AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK426100AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK42650AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK42660A.B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK426800AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK427400A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK427400B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK427450B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK427500A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK427500B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK428500AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK428800AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK4361000AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436100AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK43650AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK43660APHI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK43660AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436800AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436W1000B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436W200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436W200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436W800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK436W800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK437400A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK437400B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK437450B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK437500A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK437500B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK4381000A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK4381000B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK438800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK438800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK438W800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK438W800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK441100AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK44160AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK442100A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK442100B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK44250A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK44250B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK444
Код товару: 82500
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,35 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+42.5 грн
BUK444
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK444-200A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK444-200A,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK444-200BPH2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK444-500ATO-220
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK444200
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK444200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK444200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK44460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK444800
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK444800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK444800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK445(500V)
Код товару: 72964
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
BUK445-100B
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK445-60A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK445100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK445200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK445200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK445400A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK445500A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK44550A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK445600A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK44560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK44560ABH
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK446-800B
Код товару: 82710
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1000/
Монтаж: THT
у наявності 2 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1+27 грн
BUK4461000B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK446800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK446800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK451100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK451100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK452PH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK452-100APH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK452-100BPHI9719+
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK452-60BPHILIPS
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK452100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK452100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45260A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45260B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK453-100BPH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK453-50BPH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK453-60BPH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK453100
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK453100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK453100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45360
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45360B
Код товару: 92529
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUK45360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK454-200A
Код товару: 139457
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUK454-200B
на замовлення 11450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK454-60H
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK454-800A
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK454200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK454200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK454800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK454800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK455
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK455-50B
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK455-600B
Код товару: 11365
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 600 V
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35 грн
BUK455100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK455100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK455200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK455200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45550A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45550B
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45560B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456-1000B
Код товару: 83361
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1000/
товар відсутній
BUK456-200PH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456-200B,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK456-800A
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK4561000
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK4561000B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456200
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45650A
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45650B
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45660A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45660B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK45660H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456800
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK456800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK457400
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK457400A
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK457400B
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK457500AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK457600AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK457600B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK462100A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK462100B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46250A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46250B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46260A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK463100A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK463100B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46350A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46350B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK464200A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK464200B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK464400A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK464400B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK464450B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK464500A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK464500B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK464600A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK464600B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK465100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK465200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK466100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK466200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK46660A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK472100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK472100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK47260A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK47260B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK473100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK473100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK47360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK47360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK474-200A
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK474200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK474200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK47460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK475100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK475100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK475200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK475200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK47560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK47560B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK47560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK481-100PHILIPS05+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK481-100A
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK481-60APHILIPS96+ 223
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK481100A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK48160A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK482-100A
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK482-60A
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK482100A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK482200A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK48260A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK483-60APH09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK48360A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK4D110-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.16 грн
29+ 26.04 грн
100+ 15.8 грн
500+ 11.3 грн
1000+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
BUK4D110-20PXNexperiaMOSFET BUK4D110-20P/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.01 грн
18+ 17.49 грн
100+ 11.31 грн
1000+ 7.6 грн
3000+ 6.35 грн
9000+ 6.15 грн
24000+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
BUK4D110-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.8 грн
500+ 11.3 грн
1000+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK4D110-20PXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin DFN-MD EP
товар відсутній
BUK4D110-20PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK4D110-20PXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.31 грн
6000+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK4D122-20PXNexperiaMOSFET MOSFET BUK4D122-20P/SOT1220
товар відсутній
BUK4D16-20HNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.04 грн
12+ 24.52 грн
100+ 17.01 грн
500+ 12.47 грн
1000+ 10.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUK4D16-20HNexperiaMOSFET MOSFET BUK4D16-20/SOT1220
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.02 грн
12+ 27.61 грн
100+ 17.92 грн
500+ 14.09 грн
1000+ 11.04 грн
3000+ 9.32 грн
9000+ 8.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUK4D16-20HNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK4D16-20XNEXPERIATrans MOSFET N-CH 20V 8.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK4D16-20XNexperiaMOSFET BUK4D16-20/SOT1220/SOT1220
на замовлення 3257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.88 грн
12+ 27.61 грн
100+ 17.92 грн
500+ 16.73 грн
3000+ 14.22 грн
9000+ 9.92 грн
24000+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK4D16-20XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.85 грн
500+ 15.57 грн
1000+ 13.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK4D16-20XNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 8.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK4D16-20XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.83 грн
24+ 31.16 грн
100+ 20.85 грн
500+ 15.57 грн
1000+ 13.1 грн
Мінімальне замовлення: 20
BUK4D16-20XNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK4D38-20PHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK4D38-20PHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+21.51 грн
500+ 15.64 грн
1000+ 11.7 грн
Мінімальне замовлення: 150
BUK4D38-20PHNexperiaMOSFET MOSFET BUK4D38-20P/SOT1220
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.86 грн
12+ 25.86 грн
100+ 16.86 грн
500+ 13.23 грн
1000+ 10.51 грн
3000+ 8.93 грн
9000+ 8.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUK4D38-20PHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.58 грн
24+ 31.53 грн
100+ 21.51 грн
500+ 15.64 грн
1000+ 11.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
BUK4D38-20PHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.9 грн
12+ 23.01 грн
100+ 15.97 грн
500+ 11.7 грн
1000+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK4D38-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.46 грн
26+ 29.38 грн
100+ 19.58 грн
500+ 14.6 грн
1000+ 10.87 грн
Мінімальне замовлення: 21
BUK4D38-20PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK4D38-20PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -72A; 19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK4D38-20PXNexperiaMOSFET BUK4D38-20P/SOT1220/SOT1220
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.72 грн
12+ 25.86 грн
100+ 16.86 грн
500+ 14.68 грн
1000+ 13.89 грн
3000+ 11.84 грн
9000+ 9.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUK4D38-20PXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK4D38-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.58 грн
500+ 14.6 грн
1000+ 10.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK4D38-20PXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK4D60-30XNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.72 грн
6000+ 8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK4D60-30XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 7.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Verlustleistung: 7.5
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK4D60-30XNEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 4.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK4D60-30XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 7.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK4D60-30XNexperiaMOSFET BUK4D60-30/SOT1220/SOT1220
на замовлення 10106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.86 грн
12+ 26.69 грн
100+ 17.33 грн
500+ 13.62 грн
1000+ 10.51 грн
3000+ 9.59 грн
9000+ 8.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUK4D72-30XNexperiaMOSFET MOSFET BUK4D72-30/SOT1220
товар відсутній
BUK542100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK542100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK54260A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK54260B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK543100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK543100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK54350AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK54360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK54360AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK54360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK545100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK545100AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK545100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK545200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK545200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK54560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK54560B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK54560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK552-100A
на замовлення 39732 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK552-60APH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK552-60APHILIPS09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK552100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK552100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55260
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55260A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55260AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55260B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK553-100A,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK553100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK553100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK553100B
Код товару: 143411
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUK55348C
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55350AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK554-200A
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK554200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK554200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK555PHI99+ TO-220
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK555-100A
Код товару: 19244
NXPТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,085 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
BUK555-100AQNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK555-100B
на замовлення 27690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK555-200B,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK555-60A,127NXP SemiconductorsBUK555-60A,127^NXP
товар відсутній
BUK555-60B
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK555100
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK555100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK555100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK555200
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK555200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK555200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55550A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55550B
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55560B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55660
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55660A
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55660AC
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55660C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK55660H
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK562100A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK562100B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56250A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56250B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56260A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56260B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK563-50A
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK563100A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK563100B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56348C
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56350A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56350B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56380B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK564200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK565-100A
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK565-60A
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK565100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK565200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK566-50A
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56660A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK56660H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK57348C
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK57360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK57360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK57460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK581-100APH09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK581-60APHILIPSSOT223
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK581100A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK58160A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK582-100APHI2001
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK582-100APH09+
на замовлення 32518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK582-100A,115NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товар відсутній
BUK582100A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK58260A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK583-60APH09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK58360A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK617-500AEST
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK617-500ALST
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK6207-30C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6207-30C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6207-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK6207-55C,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK6207-55C,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK6207-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 81A
товар відсутній
BUK6207-55C,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
товар відсутній
BUK6208-40C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6208-40C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6209-30CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK6209-30CNXP USA Inc.Description: PFET, 50A I(D), 30V, 0.0192OHM,
товар відсутній
BUK6209-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6209-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 50A
товар відсутній
BUK6209-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6209-30C-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 50A I(D), 30V, 0.0192OHM,
товар відсутній
BUK6210-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 78A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK6210-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 78A
товар відсутній
BUK6210-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 78A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK6211-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 74A DPAK
товар відсутній
BUK6211-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 74A
товар відсутній
BUK6211-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 74A DPAK
товар відсутній
BUK6211-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 74A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK6212-40C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK6212-40C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6212-40C - 50A, 40V,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+21.6 грн
Мінімальне замовлення: 919
BUK6212-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 50A
товар відсутній
BUK6212-40C,118-NEXRochester Electronics, LLCDescription: PFET, 50A I(D), 40V, 0.02OHM, 1-
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK6213-30A,118NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab)
товар відсутній
BUK6213-30A,118NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR >30MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 1268
BUK6213-30A,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK6213-30CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK6213-30CNexperiaNexperia
товар відсутній
BUK6213-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 47A
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK6213-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 47A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6213-30C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 47A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK6213-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 47A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6213-30C,118-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 47A I(D), 30V, 0.029OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK621330A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK6215-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 57A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK6215-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 57A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6215-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 57A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6215-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 57A
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK6217-55CRochester Electronics, LLCDescription: PFET, 44A I(D), 55V, 0.0285OHM,
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK6217-55C
Код товару: 179616
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUK6217-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1154+18.6 грн
Мінімальне замовлення: 1154
BUK6217-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 44A
товар відсутній
BUK6217-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6217-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 44A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK6217-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6218-40CNXP USA Inc.Description: PFET, 42A I(D), 40V, 0.028OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6218-40C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK6218-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6218-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
на замовлення 8627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 1268
BUK6218-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6218-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 42A
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK6218-40C,118-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 42A I(D), 40V, 0.028OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6218-40C118Nexperia USA Inc.Description: BUK6218-4240N-CHANNMOSFETO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
BUK6226-75CNexperiaNexperia
товар відсутній
BUK6226-75CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK6226-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK6226-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 33A
товар відсутній
BUK6226-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK6226-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK6228-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK6228-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 31A
товар відсутній
BUK6228-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK6228-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK6228-55C,118NXP USA Inc.Description: PFET, 31A I(D), 55V, 0.044OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 1268
BUK6240-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6240-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 740
BUK6240-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6246-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK6246-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1066+18.5 грн
Мінімальне замовлення: 1066
BUK6246-75C,118NexperiaMOSFET N-Chan 75V 22A 60W
товар відсутній
BUK6246-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK624R5-30CNexperia USA Inc.Description: PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,
Packaging: Bulk
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 701
BUK624R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK624R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK624R5-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 90A
товар відсутній
BUK624R5-30C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK624R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 683
BUK624R5-30C,118NXP USA Inc.Description: PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
на замовлення 24820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 683
BUK625R0-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 90A
товар відсутній
BUK625R0-40C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK625R0-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK625R0-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK625R0-40C,118-NXPNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK625R2-30CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK625R2-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK625R2-30C,118NexperiaMOSFET N-Chan 30V 90A
товар відсутній
BUK625R2-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK625R2-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 888
BUK626R2-40CNexperiaNexperia
товар відсутній
BUK626R2-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK626R2-40C,118NexperiaMOSFET N-Chan 30V 90A
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK626R2-40C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
BUK626R2-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6381000
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK6381000A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK6381000B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK638500AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK638500B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK638800
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK638800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK638800AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK638800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK6507-55C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
BUK6507-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 545
BUK6507-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
товар відсутній
BUK6507-75C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6507-75C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
BUK6510-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 507
BUK6510-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK652R0-30C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 120A
товар відсутній
BUK652R0-30C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK652R0-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 224
BUK652R1-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+68.67 грн
Мінімальне замовлення: 314
BUK652R1-30C,127NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET
товар відсутній
BUK652R1-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK652R1-30C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK652R3-40C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK652R3-40C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 120A
товар відсутній
BUK652R3-40C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
BUK652R3-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
на замовлення 5171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 224
BUK652R6-40C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK652R6-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
на замовлення 3041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 314
BUK652R6-40C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 120A
товар відсутній
BUK652R6-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
товар відсутній
BUK652R7-30C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK652R7-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
товар відсутній
BUK652R7-30C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 100A
товар відсутній
BUK653R2-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK653R2-55C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
BUK653R2-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+87.62 грн
Мінімальне замовлення: 224
BUK653R3-30C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
товар відсутній
BUK653R4-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
товар відсутній
BUK653R5-55CNXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
BUK653R5-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK653R5-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+68.7 грн
Мінімальне замовлення: 290
BUK653R7-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
товар відсутній
BUK653R7-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 545
BUK654R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
товар відсутній
BUK654R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+91.76 грн
Мінімальне замовлення: 226
BUK654R0-75C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
BUK654R6-55C,127NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
BUK654R6-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
товар відсутній
BUK654R8-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+48.3 грн
Мінімальне замовлення: 431
BUK654R8-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
товар відсутній
BUK655450B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK655500A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK655500ABC
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK655500B
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK655500C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK655R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
товар відсутній
BUK657450B
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BUK6607-55CNexperiaNexperia
товар відсутній
BUK6607-55C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 158
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK6607-55C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK6607-55C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK6607-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.33 грн
10+ 101.74 грн
100+ 80.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK6607-55C,118NexperiaMOSFET BUK6607-55C/SOT404/D2PAK
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.59 грн
10+ 130.05 грн
100+ 91.26 грн
500+ 77.37 грн
800+ 63.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
BUK6607-55C,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 420A; 158W
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 158W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 420A
Case: D2PAK; SOT404
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
On-state resistance: 14.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
BUK6607-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK6607-55C,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 420A; 158W
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 158W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Pulsed drain current: 420A
Case: D2PAK; SOT404
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
On-state resistance: 14.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6607-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+71.16 грн
1600+ 58.14 грн
2400+ 55.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
BUK6607-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+49.21 грн
Мінімальне замовлення: 452
BUK6607-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 100A
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK6610-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 78A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK6610-75C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
на замовлення 7474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 740
BUK6610-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 78A
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK661R6-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
товар відсутній
BUK661R6-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK661R6-30C118NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 370
BUK661R8-30C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 245
BUK661R8-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 120A
товар відсутній
BUK661R9-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 120A
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.77 грн
10+ 187.09 грн
100+ 151.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 417
BUK662R4-40C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK662R4-40C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
товар відсутній
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK662R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK662R5-30C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK662R5-30C - 100A, 30
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+37.2 грн
Мінімальне замовлення: 579
BUK662R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK662R5-30C,118-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 30V, 0.0048OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK662R7-55CNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK662R7-55C - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BUK662R7-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 120A
товар відсутній
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK662R7-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+65.81 грн
Мінімальне замовлення: 325
BUK663R2-40C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK663R2-40C - 100A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
на замовлення 14413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 601
BUK663R2-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 100A
товар відсутній
BUK663R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK663R5-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 100A
товар відсутній
BUK663R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK663R5-55C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK663R5-55C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 417
BUK663R5-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK663R5-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK663R7-75CNexperiaMOSFET
товар відсутній
BUK663R7-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK663R7-75C,118NXP USA Inc.Description: PFET, 120A I(D), 75V, 0.0058OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK663R7-75C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.58 грн
4000+ 97.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
BUK663R7-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK663R7-75C,118NEXPERIATrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK664R4-55C
Код товару: 175664
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BUK664R4-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK664R4-55C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK664R4 - N-CHANNEL T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK664R4-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 100A
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK664R4-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK664R4-55C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK664R4 - N-CHANNEL T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK664R6-40C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK664R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
BUK664R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK664R8-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
товар відсутній
BUK664R8-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
товар відсутній
BUK664R8-75C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
товар відсутній
BUK664R8-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK6C1R5-40C,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK6C2R1-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6C2R1-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6C2R1-55C,118NexperiaMOSFET N-chan TrenchMOS FET
товар відсутній
BUK6C2R1-55C,118-NXNXP USA Inc.Description: PFET, 228A I(D), 55V, 0.0037OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
товар відсутній
BUK6C3R3-75C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6C3R3 - N-CHANNEL TR
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+103.7 грн
Мінімальне замовлення: 189
BUK6C3R3-75C,118NexperiaMOSFET N-chan TrenchMOS FET
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BUK6D120-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.24 грн
6000+ 6.68 грн
9000+ 6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D120-40EXNexperiaMOSFET BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+7.18 грн
9000+ 6.62 грн
24000+ 5.69 грн
45000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D120-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.01 грн
500+ 7.3 грн
1000+ 6.61 грн
5000+ 6.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D120-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; Idm: 23A; 7.5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 7.5W
Gate charge: 3.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN6; SOT1220
On-state resistance: 233mΩ
товар відсутній
BUK6D120-40EXNEXPERIA40 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
BUK6D120-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; Idm: 23A; 7.5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 7.5W
Gate charge: 3.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN6; SOT1220
On-state resistance: 233mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D120-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+8.38 грн
91+ 8.23 грн
100+ 8.01 грн
500+ 7.3 грн
1000+ 6.61 грн
5000+ 6.49 грн
Мінімальне замовлення: 89
BUK6D120-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.18 грн
14+ 20.05 грн
100+ 12.02 грн
500+ 10.45 грн
1000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D120-40EXNexperia40 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D120-60PNexperiaMOSFET
товар відсутній
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.68 грн
23+ 25.74 грн
25+ 24.1 грн
100+ 17.43 грн
250+ 15.63 грн
500+ 12.15 грн
1000+ 9.8 грн
3000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
BUK6D120-60PXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D120-60PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -32A; 15W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+25.95 грн
590+ 19.46 грн
609+ 18.86 грн
752+ 14.72 грн
1000+ 11 грн
3000+ 8.98 грн
Мінімальне замовлення: 442
BUK6D120-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.66 грн
6000+ 8.83 грн
9000+ 8.2 грн
30000+ 7.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D120-60PXNexperiaMOSFET BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
на замовлення 43335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.86 грн
12+ 26.24 грн
100+ 15.87 грн
500+ 12.43 грн
1000+ 10.12 грн
3000+ 8.53 грн
9000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUK6D120-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 41618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.25 грн
500+ 14.74 грн
1000+ 10.56 грн
3000+ 9.54 грн
6000+ 8.9 грн
12000+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+26.53 грн
613+ 18.7 грн
767+ 14.96 грн
1000+ 11.45 грн
3000+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 433
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.52 грн
24+ 24.64 грн
100+ 17.37 грн
500+ 13.39 грн
1000+ 9.85 грн
3000+ 7.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D120-60PXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+8.8 грн
Мінімальне замовлення: 36
BUK6D120-60PXNXP60 V, P-channel Trench MOSFET BUK6D120-60PX TBUK6d120-60px
на замовлення 290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BUK6D120-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.095 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 41618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.13 грн
25+ 30.34 грн
100+ 20.25 грн
500+ 14.74 грн
1000+ 10.56 грн
3000+ 9.54 грн
6000+ 8.9 грн
12000+ 8.71 грн
Мінімальне замовлення: 21
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+15.96 грн
39+ 14.93 грн
Мінімальне замовлення: 36
BUK6D120-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.61 грн
12+ 23.63 грн
100+ 16.4 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 9.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUK6D120-60PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -32A; 15W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.1A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D120-60PZNEXPERIATrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D120-60PZNexperia USA Inc.Description: BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D120-60PZNexperiaMOSFET BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
товар відсутній
BUK6D125-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 271mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D125-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 271mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D125-60EXNexperiaMOSFET BUK6D125-60E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.18 грн
12+ 26.69 грн
100+ 12.9 грн
1000+ 8.8 грн
3000+ 7.47 грн
9000+ 6.81 грн
24000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D125-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.39 грн
500+ 12.12 грн
1000+ 8.33 грн
3000+ 7.63 грн
6000+ 6.36 грн
12000+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D125-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.91 грн
12+ 24.59 грн
100+ 14.76 грн
500+ 12.82 грн
1000+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D125-60EXNEXPERIA60 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
BUK6D125-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.01 грн
33+ 23 грн
100+ 16.39 грн
500+ 12.12 грн
1000+ 8.33 грн
3000+ 7.63 грн
6000+ 6.36 грн
12000+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 24
BUK6D125-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D125-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D16-30EXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 15 V
товар відсутній
BUK6D16-30EXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 15 V
товар відсутній
BUK6D20-40EXNexperiaMOSFET BUK6D20-40E/SOT1220/SOT1220
товар відсутній
BUK6D210-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 23A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 456mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D210-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
6000+ 6.52 грн
9000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D210-60EXNEXPERIA60 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
BUK6D210-60EXNexperia60 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D210-60EXNexperiaMOSFET BUK6D210-60E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 25753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.7 грн
14+ 21.75 грн
100+ 10.51 грн
1000+ 7.21 грн
3000+ 6.02 грн
9000+ 5.69 грн
24000+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D210-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 23A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 456mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D210-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.47 грн
15+ 19.56 грн
100+ 11.75 грн
500+ 10.2 грн
1000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D22-30EXNEXPERIA30 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
BUK6D22-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.18 грн
13+ 22.25 грн
100+ 15.46 грн
500+ 11.33 грн
1000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D22-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D22-30EXNexperiaMOSFET BUK6D22-30E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 14712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.7 грн
14+ 22.82 грн
100+ 14.61 грн
500+ 11.44 грн
1000+ 9.26 грн
3000+ 7.47 грн
9000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D22-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.7A; Idm: 89A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.7A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D22-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D22-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.7A; Idm: 89A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.7A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D22-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D23-40EHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.28 грн
25+ 29.67 грн
100+ 20.18 грн
500+ 14.74 грн
1000+ 11 грн
3000+ 9.79 грн
Мінімальне замовлення: 21
BUK6D23-40EHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.18 грн
13+ 22.39 грн
100+ 15.54 грн
500+ 11.39 грн
1000+ 9.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D23-40EHNEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D23-40EHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D23-40EHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+20.18 грн
500+ 14.74 грн
1000+ 11 грн
3000+ 9.79 грн
Мінімальне замовлення: 150
BUK6D23-40EHNexperiaMOSFET MOSFET BUK6D23-40E/SOT1220
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.7 грн
13+ 24.34 грн
100+ 15.81 грн
500+ 12.43 грн
1000+ 9.92 грн
3000+ 8.33 грн
9000+ 7.6 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D23-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D23-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 76A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D23-40EXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D23-40EXNexperiaMOSFET BUK6D23-40E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 71020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.01 грн
13+ 24.26 грн
100+ 14.68 грн
500+ 11.51 грн
1000+ 9.32 грн
3000+ 7.87 грн
9000+ 7.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
BUK6D23-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.47 грн
13+ 21.63 грн
100+ 15.01 грн
500+ 11 грн
1000+ 8.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+25.26 грн
459+ 25.02 грн
660+ 17.37 грн
667+ 16.6 грн
857+ 11.95 грн
1000+ 10.56 грн
3000+ 9.64 грн
Мінімальне замовлення: 454
BUK6D23-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.84 грн
6000+ 8.08 грн
9000+ 7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.11 грн
24+ 23.7 грн
25+ 23.46 грн
50+ 22.4 грн
100+ 14.41 грн
250+ 13.7 грн
500+ 10.65 грн
1000+ 9.8 грн
3000+ 8.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
BUK6D230-80EXNexperiaMOSFET BUK6D230-80E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 15914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.17 грн
14+ 22.36 грн
100+ 11.18 грн
1000+ 7.6 грн
3000+ 6.61 грн
9000+ 6.08 грн
24000+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D230-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D230-80EXNexperia80 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D230-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3.6A; Idm: 20.4A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 20.4A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D230-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.18 грн
14+ 20.53 грн
100+ 12.32 грн
500+ 10.7 грн
1000+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D230-80EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 3.6A; Idm: 20.4A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 20.4A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D230-80EXNEXPERIA80 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BUK6D30-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; Idm: 73A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D30-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 6A/18A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D30-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D30-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.9 грн
26+ 28.71 грн
100+ 19.07 грн
500+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 22
BUK6D30-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.8A; Idm: 73A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 73A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D30-40EXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 400V 18A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D30-40EXNexperiaMOSFET BUK6D30-40E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.17 грн
13+ 25.25 грн
100+ 15.34 грн
500+ 11.9 грн
1000+ 9.72 грн
3000+ 8.27 грн
9000+ 7.6 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D30-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D30-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 6A/18A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.9 грн
13+ 22.73 грн
100+ 15.79 грн
500+ 11.57 грн
1000+ 9.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D30-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.07 грн
500+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D38-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 68A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D38-30EXNEXPERIA30 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
BUK6D38-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.91 грн
12+ 24.94 грн
100+ 14.93 грн
500+ 12.98 грн
1000+ 8.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D38-30EXNexperiaMOSFET BUK6D38-30E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.18 грн
12+ 27 грн
100+ 13.09 грн
1000+ 8.93 грн
3000+ 7.8 грн
9000+ 7.01 грн
24000+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D38-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D38-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 68A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 19W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D38-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.23 грн
9000+ 8.87 грн
24000+ 8.79 грн
45000+ 8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D385-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.27 грн
500+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D385-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.62 грн
11+ 25.21 грн
100+ 15.13 грн
500+ 13.14 грн
1000+ 8.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.57 грн
9000+ 8.23 грн
24000+ 8.16 грн
45000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D385-100EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1078mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D385-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.24 грн
78+ 9.57 грн
100+ 9.27 грн
500+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 73
BUK6D385-100EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1078mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D385-100EXNEXPERIA100 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
BUK6D385-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.11 грн
6000+ 8.4 грн
9000+ 7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D385-100EXNexperiaMOSFET BUK6D385-100E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 12176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.18 грн
12+ 26.54 грн
100+ 13.36 грн
1000+ 9.19 грн
3000+ 7.67 грн
9000+ 7.14 грн
24000+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D43-40PNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BUK6D43-40P,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
товар відсутній
BUK6D43-40PXNexperiaMOSFET BUK6D43-40P/SOT1220/SOT1220
на замовлення 42694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.18 грн
11+ 29.28 грн
100+ 17.79 грн
500+ 13.82 грн
1000+ 11.24 грн
3000+ 9.32 грн
9000+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D43-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.19 грн
11+ 26.31 грн
100+ 18.32 грн
500+ 13.43 грн
1000+ 10.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D43-40PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -8.9A; Idm: -56A; 15W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.9A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D43-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D43-40PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -8.9A; Idm: -56A; 15W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.9A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 15W
Case: DFN2020MD-6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D43-40PXNEXPERIATrans MOSFET P-CH 40V 14A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 18070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D43-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.7 грн
500+ 16.6 грн
1000+ 11.76 грн
3000+ 10.68 грн
6000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D43-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.8 грн
6000+ 9.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D43-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D43-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.21 грн
22+ 33.83 грн
100+ 22.7 грн
500+ 16.6 грн
1000+ 11.76 грн
3000+ 10.68 грн
6000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
BUK6D43-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D43-60E,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
товар відсутній
BUK6D43-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.032 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 327000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3201+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3201
BUK6D43-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D43-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D43-60EXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D43-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.032 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 15W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.14 грн
500+ 13.64 грн
1000+ 9.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D43-60EXNexperiaMOSFET BUK6D43-60E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 97336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.39 грн
16+ 19.7 грн
100+ 14.75 грн
500+ 12.63 грн
1000+ 9.72 грн
3000+ 7.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
BUK6D43-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 52A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D43-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D43-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 52A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D43-60EXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D43-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 327000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2511+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 2511
BUK6D43-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D43-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.032 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.16 грн
31+ 23.96 грн
100+ 17.14 грн
500+ 13.64 грн
1000+ 9.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
BUK6D56-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 115293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.62 грн
11+ 25.35 грн
100+ 15.22 грн
500+ 13.22 грн
1000+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D56-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D56-60EXNexperiaMOSFET BUK6D56-60E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.57 грн
11+ 28.21 грн
100+ 13.62 грн
1000+ 9.26 грн
3000+ 8.2 грн
9000+ 7.41 грн
24000+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
BUK6D56-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 44A; 15W; DFN6,SOT1220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D56-60EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 44A; 15W; DFN6,SOT1220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BUK6D56-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
6000+ 8.45 грн
9000+ 7.61 грн
30000+ 7.03 грн
75000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D56-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
BUK6D56-60EXNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 6-Pin DFN-MD EP
товар відсутній
BUK6D72-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.61 грн
13+ 21.49 грн
100+ 12.9 грн
500+ 11.2 грн
1000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUK6D72-30EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D72-30EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.053 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.2 грн
500+ 9.71 грн
1000+ 6.74 грн
3000+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
BUK6D72-30EXNEXPERIA30 V, N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
BUK6D72-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BUK6D72-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BUK6D72-30EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D72-30EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.053 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+24.78 грн
41+ 18.32 грн
100+ 13.2 грн
500+ 9.71 грн
1000+ 6.74 грн
3000+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 30
BUK6D72-30EXNexperiaMOSFET BUK6D72-30E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.56 грн
14+ 23.04 грн
100+ 11.71 грн
1000+ 7.94 грн
3000+ 6.48 грн
9000+ 6.28 грн
24000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
BUK6D72-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 44A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BUK6D72-30EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 44A; 15W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 15W
Case: DFN6; SOT1220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 124mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній