Продукція > BUK

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK100-50
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK100-50GLNXP SemiconductorsMOSFETs RAIL TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK100-50GLPHILIPS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK100-50GL,127NexperiaMOSFETs RAIL TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK100-50GL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 85mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 13.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220AB
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10050DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10050GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10050GS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101-0GL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101-50
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101-50DL
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101-50DLNXPPower MOSFET 50V 26A 75W 60mOm TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101-50DL(транзистор)
Код товару: 72810
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 60 mOhm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+49.50 грн
10+42.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101-50GLPHILIPS08+ QFN
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101-50GL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR TOPFET LOGIC LVL TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 26A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220AB
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101-50GL,127
Код товару: 156150
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101-50GS
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101-50GS,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 35mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 29A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220AB
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK101050GSTO220/
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10150
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10150DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10150GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10150GS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK102-50
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10250DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10250GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10250GSPHILIPS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK104-50L
Код товару: 51395
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK104-50L
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10450L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10450LP
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10450S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10450SP
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK106PHI00+
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK106-50L
Код товару: 101824
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10650L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10650LP
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10650S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10650SP
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK107-50DLPHILIPS09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK107-50DL,115NXP SemiconductorsDescription: TOPFET LOGIC LVL 50V SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10750DL
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10750DS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10750GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK108-500L
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK108-50DLPH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK108-50DL /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK108-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 85mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 13.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK108-50DL,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10850DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10850GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10850GS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK109-50
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK109-500DPHILIPS
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK109-500L
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK109-50DL
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK109-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK109-50DL,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK109-50DL/T3NXP SemiconductorsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK109-55
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10950DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10950GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK10950GS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK110-50GLPHILIPSTO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK110-50GL /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK110-50GL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 45A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK110-50GL,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11050DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11050GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11050GS
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11150GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11250GL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11350DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK114-50LPH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK114-50L
Код товару: 46243
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Джерел живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK114-50L /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 TOPFET2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK114-50L,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 75mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5V
Current - Output (Max): 15A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11450L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11450S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK116-50LPHISOT263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK116-50L,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 22mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5V
Current - Output (Max): 50A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11650L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11650S
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK117-50DL
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK117-50DL,127NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 12A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11750DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK118-50DLPH
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK118-50DL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: TO-220AB
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11850DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK119-50DL
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK119-50DL,127NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 43A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK11950DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK124-50L
Код товару: 46271
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Джерел живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK124-50LNXP SemiconductorsMOSFET RAIL TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK124-50L,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK12450L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK125-50L
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK125-50L,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK12550L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK127-50DL,115NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 700mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-73
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK127-50GT,115NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.1A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-73
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK127-50GT/127GT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK12750DL
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK12750GT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK128-50DLPHILIPSTO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK128-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK128-50DL/C1,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK12850DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK129-50DL
Код товару: 32499
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsМікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
Корпус: SOT-404
Функціональний опис: Logic level TOPFET SMD version
Напр.живлення: 50 V
Темп.діапазон: -55...+150°C
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+31.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK129-50DLPHILIPSTO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK129-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK129-50DL/C1,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK12950DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK130-50DLPHILIPSTO-263
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK130-50DL,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 50V 20A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK13050DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK135-50LPHILIPS09+
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK135-50L,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 21mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 5V
Current - Output (Max): 30A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK13550L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK136-50L,118NXP USA Inc.Description: TOPFET LOGIC LVL 50V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK13650L
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK138-50DLPH
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK138-50DL
Код товару: 118486
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK138-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 68mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK138-50DL/C1,118NXP SemiconductorsMOSFET TransMOSFET N-CH 50V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK138-50DL/C1,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 68mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK13850DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK139-50DL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK139-50DL,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK139-50DL/C1,118NXP SemiconductorsMOSFET TransMOSFET N-CH 50V 16A 3-Pin(2+Tab)DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK139-50DL/C1,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: DPAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK13950DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK148-50DL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 68mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: I2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK14850DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK149-50DL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 36mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 16A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: I2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK14950DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK150-50DL,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 22mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 20A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: I2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK15050DL
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK1M10050SGTD
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK1M200-50SDLD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK1M200-50SDLD,11NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 800mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 20-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK1M200-50SDLD,51NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 800mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 20-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK1M200-50SDLDT/RNXP SemiconductorsMOSFET TOPFET MULTICHAN FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK1M200-50SGTD,11NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 20-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK1M200-50SGTD,11NXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK1M200-50SGTD,51NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 150mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 20-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK1M20050SDLD
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK1M20050SGTD
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK200-50YNXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20050X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20050Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20150X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20150Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK202-50Y
Код товару: 143478
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK202-50Y
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK202-50YNXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution RAIL TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK202-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CH 1:1 SOT263B
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 20A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK202-50Y,127NexperiaPower Switch ICs - Power Distribution TOPFET HIGH SIDE SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20250
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20250X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20250Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20350X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20350Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK204-50Y /T3NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK204-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 77mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 40V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20450X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20450Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK205-50Y
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK205-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 40V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20550X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20550Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK206PHI00+
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20650
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20650X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20650Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20750X
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20750Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK208-50Y
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK208-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20850Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK209-50YNXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TOPFET HIGH SIDE SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK209-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK209-50Y
Код товару: 139258
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Джерел живлення
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK209-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CH 1:1 SOT263B
Features: Status Flag
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK209-50Y,127NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TOPFET HIGH SIDE SW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK20950Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK210-50A
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK210-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK210-50Y,127
Код товару: 84224
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK210-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Features: Status Flag
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21050Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK2114-50SYTS /T3NXP SemiconductorsGate Drivers TOPFET HIGH SIDE FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK2114-50SYTS,118NXP USA Inc.Description: IC PWR TOPFET HI SIDE SW SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 14mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK2114-50SYTS,118NXP SemiconductorsGate Drivers TOPFET HIGH SIDE FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK212-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK212-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Features: Status Flag
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 10mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21250Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK213TO-263-5
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK213-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK213-50Y /T3NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK213-50Y,118NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK213-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 8.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK214-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK214-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21450Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK215TO-263
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK215-50YPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK215-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 28mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 9A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK215-50Y,118
Код товару: 84226
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21550Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21550YT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21650YT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK217N/A
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK217-50YNXP09+ LQFP80
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK217-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 10mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK217-50YT,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 10mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 10A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21750Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21750YT
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK218-50DC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK218-50DC,118NXP USA Inc.Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 35V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 8A, 8A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK218-50DYPH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK218-50DY,118NXP USA Inc.Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 35V
Supplier Device Package: D2PAK-7
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 8A, 8A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21850DC
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21850DY
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK219-50YNXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution RAIL TOPFET2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK219-50Y
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK219-50Y,127NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution BUK219-50Y/SOT263/RAILH//
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK219-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
Packaging: Tube
Features: Status Flag
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 135mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SOT263B-01
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK21950Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK220-50YPH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK220-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK22050Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK221-50DYPH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK221-50DY,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 73mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK-7
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK22150DY
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK223-50Y
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK223-50Y,127NXP USA Inc.Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 SOT263B-01
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK22350Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK224-50Y
Код товару: 48743
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK224-50YNXP
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK224-50Y /T3NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK224-50Y,118NXP SemiconductorsPower Switch ICs - Power Distribution TAPE13 TOPFET2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK224-50Y,118NXP USA Inc.Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT426
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 22mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: D2PAK
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK22450Y
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK2914-50SYTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK2914-50SYTS,127NXP USA Inc.Description: IC PWR TOPFET HI SIDE SOT263B-01
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-5 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 1
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 14mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Current - Output (Max): 3A
Supplier Device Package: SOT263B-01
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK3F00-50WDFE,518Nexperia USA Inc.Description: IC 9675 AUTO 64QFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK3F00-50WDFE,518NexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK3F00-50WDFM
Код товару: 105113
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Інтерфейсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK3F00-50WDFMNXP
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK3F00-50WDFM,518Nexperia USA Inc.Description: IC 9675 AUTO 64QFP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK3F00-50WDFM,518NexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK3F00-50WFEANexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK3F00-50WFEA,518Nexperia USA Inc.Description: 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK3F00-50WGFANexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK3F00-50WGFA,518Nexperia USA Inc.Description: 9608 AUTO MULTI TECHNOLOGY AND I
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK416-200AEST
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK416200AEBE
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK417-500AEST
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK417-500BEST
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK417500AEBE
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4261000AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK426100AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK42650AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK42660A.B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK426800AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK427400A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK427400B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK427450B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK427500A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK427500B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK428500AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK428800AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4361000AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436100AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK43650AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK43660APHI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK43660AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436800AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436W1000B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436W200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436W200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436W800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK436W800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK437400A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK437400B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK437450B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK437500A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK437500B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4381000A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4381000B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK438800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK438800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK438W800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK438W800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK441100AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK44160AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK442100A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK442100B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK44250A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK44250B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444
Код товару: 82500
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-186
Uds,V: 200 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,35 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+42.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444-200A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444-200A,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444-200BPH2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444-500ATO-220
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444200
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK44460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444800
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK444800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK445(500V)
Код товару: 72964
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK445-100B
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK445-60A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK445100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK445200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK445200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK445400A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK445500A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK44550A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK445600A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK44560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK44560ABH
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK446-800B
Код товару: 82710
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-186
Uds,V: 800 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1000/
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4461000B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK446800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK446800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK451100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK451100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK452PH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK452-100APH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK452-100BPHI9719+
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK452-60BPHILIPS
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK452100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK452100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45260A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45260B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK453-100BPH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK453-50BPH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK453-60BPH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK453100
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK453100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK453100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45360
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45360B
Код товару: 92529
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK454-200A
Код товару: 139457
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK454-200B
на замовлення 11450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK454-200B/BNXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK454-60H
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK454-800A
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK454200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK454200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK454800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK454800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK455
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK455-200ANXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK455-50B
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK455-600BNXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK455-600B
Код товару: 11365
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 600 V
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+35.00 грн
10+30.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK455100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK455100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK455200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK455200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45550A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45550B
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45560B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456-1000NXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456-1000B
Код товару: 83361
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1000/
товару немає в наявності
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456-1200NXPГрупа товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456-200PH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456-200B,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456-800A
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4561000
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4561000B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456200
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45650A
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45650B
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45660A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45660B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK45660H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456800
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK456800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK457400
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK457400A
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK457400B
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK457500AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK457600AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK457600B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK462100A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK462100B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46250A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46250B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46260A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK463100A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK463100B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46350A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46350B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK464200A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK464200B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK464400A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK464400B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK464450B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK464500A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK464500B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK464600A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK464600B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK465100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK465200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK466100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK466200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK46660A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK472100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK472100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK47260A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK47260B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK473100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK473100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK47360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK47360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK474-200A
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK474200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK474200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK47460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK475100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK475100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK475200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK475200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK47560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK47560B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK47560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK481-100PHILIPS05+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK481-100A
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK481-60APHILIPS96+ 223
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK481100A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK48160A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK482-100A
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK482-60A
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK482100A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK482200A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK48260A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK483-60APH09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK48360A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D110-20PHNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 20V 3.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D110-20PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 3.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D110-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.44 грн
29+28.62 грн
100+17.37 грн
500+12.42 грн
1000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D110-20PXNexperiaMOSFETs BUK4D110-20P/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.60 грн
15+22.58 грн
100+11.74 грн
1000+7.41 грн
3000+6.50 грн
9000+5.87 грн
24000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D110-20PXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 3.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.03 грн
6000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D110-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D110-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.075 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.37 грн
500+12.42 грн
1000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D122-20PNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D122-20PXNexperiaMOSFET MOSFET BUK4D122-20P/SOT1220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20HNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 20V 26A
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.56 грн
13+26.76 грн
100+16.98 грн
500+13.14 грн
1000+11.95 грн
6000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20HNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.31 грн
18+46.88 грн
100+24.70 грн
500+17.79 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20HNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+36.64 грн
50+26.75 грн
100+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20HNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+17.79 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.52 грн
29+28.21 грн
100+21.85 грн
500+18.32 грн
1000+11.25 грн
5000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20XNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 931 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D16-20X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 26 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.12 грн
500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20XNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 20V 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D16-20XNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 8.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1239+26.11 грн
10000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 1239
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.40 грн
24+34.65 грн
100+23.64 грн
500+17.19 грн
1000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PHNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 20V 18A
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.69 грн
12+28.85 грн
100+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.25 грн
10+32.40 грн
50+23.64 грн
100+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.03 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+23.64 грн
500+17.19 грн
1000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.39 грн
12+71.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 20V 18A
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.69 грн
12+28.85 грн
100+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D38-20PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D38-20PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18 A, 0.026 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D50-30PXNexperia USA Inc.Description: BUK4D50-30P/SOT1220/SOT1220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D60-30HNexperia USA Inc.Description: BUK4D60-30/SOT1220/DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D60-30XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 7.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D60-30XNexperiaMOSFETs BUK4D60-30/SOT1220/SOT1220
на замовлення 13742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.74 грн
12+27.48 грн
100+22.78 грн
3000+11.04 грн
6000+10.13 грн
9000+8.81 грн
24000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D60-30XNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK4D60-30X - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.045 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.3
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 7.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Verlustleistung: 7.5
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Rds(on)-Prüfspannung: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D60-30XNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.2A, 8V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 296 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK4D72-30XNexperiaMOSFET MOSFET BUK4D72-30/SOT1220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK542100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK542100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK54260A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK54260B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK543100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK543100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK54350AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK54360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK54360AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK54360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK545100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK545100AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK545100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK545200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK545200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK54560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK54560B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK54560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK552-100A
на замовлення 39732 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK552-60APH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK552100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK552100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55260
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55260A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55260AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55260B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK553-100A,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK553100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK553100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK553100B
Код товару: 143411
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55348C
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55350AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK554-200A
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK554200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK554200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555PHI99+ TO-220
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555-100A
Код товару: 19244
Додати до обраних Обраний товар
NXPТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,085 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555-100AQNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555-100B
на замовлення 27690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555-200B,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555-60B
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555100
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555100B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555200
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK555200B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55550A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55550B
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55560B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55660
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55660A
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55660AC
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55660C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK55660H
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK562100A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK562100B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56250A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56250B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56260A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56260B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK563-50A
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK563100A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK563100B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56348C
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56350A
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56350B
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56380B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK564200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK565-100A
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK565-60A
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK565100A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK565200A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56560A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56560H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK566-50A
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56660A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK56660H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK57348C
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK57360A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK57360B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK57460H
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK581-100APH09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK581-60APHILIPSSOT223
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK581100A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK58160A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK582-100APH09+
на замовлення 32518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK582100A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK58260A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK583-60APH09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK58360A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK617-500AEST
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK617-500ALST
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6207-30C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6207-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6207-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 81A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6208-40C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6209-30CNXP USA Inc.Description: PFET, 50A I(D), 30V, 0.0192OHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6209-30CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6209-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6209-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6209-30C-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 50A I(D), 30V, 0.0192OHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6210-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 78A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6210-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 78A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6211-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 74A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6211-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 74A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6212-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6212-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6212-40C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6212-40C,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6212-40C,118-NEXRochester Electronics, LLCDescription: PFET, 50A I(D), 40V, 0.02OHM, 1-
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6213-30A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6213-30A,118NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6213-30CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6213-30CNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6213-30C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6213-30C,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 17100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6213-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 47A
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6213-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 47A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6213-30C,118-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 47A I(D), 30V, 0.029OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK621330A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6215-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 57A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6215-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 57A
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6217-55CRochester Electronics, LLCDescription: PFET, 44A I(D), 55V, 0.0285OHM,
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6217-55CNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6217-55C
Код товару: 179616
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6217-55C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+69.42 грн
518+62.48 грн
1000+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 466
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6217-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6217-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 44A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6217-55C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6217-55C,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6218-40CNXP USA Inc.Description: PFET, 42A I(D), 40V, 0.028OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6218-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 42A
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6218-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
444+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 444
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6218-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6218-40C,118-NEXNexperia USA Inc.Description: PFET, 42A I(D), 40V, 0.028OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6218-40C118Nexperia USA Inc.Description: BUK6218-4240N-CHANNMOSFETO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6226-75CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6226-75CNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6226-75C,118NexperiaMOSFETs N-CHAN 75V 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6226-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6228-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 31A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6228-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6240-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6246-75C,118NexperiaMOSFET N-Chan 75V 22A 60W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6246-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1066+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1066
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6246-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 22A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK624R5-30CNexperia USA Inc.Description: PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 701
В кошику  од. на суму  грн.
BUK624R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK624R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK624R5-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK625R0-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK625R0-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK625R0-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK625R0-40C,118-NXPNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK625R2-30CNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK625R2-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK625R2-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 888
В кошику  од. на суму  грн.
BUK625R2-30C,118NexperiaMOSFET N-Chan 30V 90A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK625R2-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK626R2-40CNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK626R2-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK626R2-40C,118NexperiaMOSFET N-Chan 30V 90A
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6381000
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6381000A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6381000B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK638500AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK638500B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK638800
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK638800A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK638800AB
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK638800B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6507-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+42.37 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6507-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6507-75C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6510-75C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5.251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6510-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 77A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R0-30C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R0-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+97.92 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R0-30C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R1-30C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R1-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R1-30C,127NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R3-40C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R3-40C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R3-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
на замовлення 4171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+97.92 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R6-40C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R6-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+78.44 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R6-40C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R7-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R7-30C,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R7-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 342
В кошику  од. на суму  грн.
BUK652R7-30C,127NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R2-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R2-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
на замовлення 3726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+98.24 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R3-30C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R4-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R5-55CNXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R5-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R5-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 290
В кошику  од. на суму  грн.
BUK653R7-30C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 503
В кошику  од. на суму  грн.
BUK654R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+100.85 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
BUK654R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK654R6-55C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK654R8-40C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655450B
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655500A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655500ABC
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655500B
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655500C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK655R0-75C,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK657450B
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55CNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 158
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6607-55C,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 158
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMOS
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118NXPMOSFET N-CH 55V 100A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118NexperiaMOSFET BUK6607-55C/SOT404/D2PAK
на замовлення 5091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.91 грн
10+137.42 грн
100+96.44 грн
500+81.76 грн
800+67.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-55C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 100A
на замовлення 4813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6607-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 78A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK6610 - N-CHANNEL TRE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 78A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5251 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6610-75C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 75V 78A
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R6-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R6-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R6-30C118NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R8-30C,118NexperiaMOSFETs N-CHAN 30V 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R8-30C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+96.70 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R9-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 120A
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK661R9-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.73 грн
10+176.92 грн
100+129.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R4-40C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R4-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11334 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R5-30C,118-NXPNXP USA Inc.Description: PFET, 100A I(D), 30V, 0.0048OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6960 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R7-55CNXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK662R7-55C - POWE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+72.33 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R7-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK662R7-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R2-40C,118Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA BUK663R2-40C - 100A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
на замовлення 14413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
601+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 601
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R2-40C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 40V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-30C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-30C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 30V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-55C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 417
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R5-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11516 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R7-75CNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R7-75C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+132.23 грн
4000+126.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BUK663R7-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R4-55C
Код товару: 175664
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R4-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R4-55C,118NexperiaMOSFET N-CHAN 55V 100A
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R4-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R6-40C,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R6-40C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET
на замовлення 4796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R6-40C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 683
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R8-75C,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R8-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R8-75C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK664R8-75C,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C1R5-40C,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C2R1-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C2R1-55C,118NexperiaMOSFET N-chan TrenchMOS FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C2R1-55C,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C2R1-55C,118-NXNXP USA Inc.Description: PFET, 228A I(D), 55V, 0.0037OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C3R3-75C,118NexperiaMOSFET N-chan TrenchMOS FET
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6C3R3-75C,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6C3R3 - N-CHANNEL TR
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+113.96 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNexperiaMOSFET BUK6D120-40E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+7.99 грн
9000+7.07 грн
24000+6.01 грн
45000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.81 грн
500+8.02 грн
1000+7.27 грн
5000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNexperia40 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.7 A, 0.085 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+9.21 грн
91+9.05 грн
100+8.81 грн
500+8.02 грн
1000+7.27 грн
5000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.45 грн
12+25.44 грн
50+18.47 грн
100+15.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
442+29.28 грн
590+21.96 грн
609+21.28 грн
752+16.61 грн
1000+12.40 грн
3000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 442
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNXPTransistor P-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 120mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Substitute: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ; BUK6D120-60PX TBUK6d120-60px
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.95 грн
13+24.68 грн
100+17.45 грн
500+12.43 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+29.93 грн
613+21.10 грн
767+16.88 грн
1000+12.92 грн
3000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.73 грн
24+32.07 грн
100+22.61 грн
500+17.44 грн
1000+12.82 грн
3000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 60V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.44 грн
500+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.55 грн
6000+9.29 грн
9000+8.47 грн
15000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.78 грн
39+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.63 грн
23+33.50 грн
25+31.37 грн
100+22.68 грн
250+20.35 грн
500+15.82 грн
1000+12.76 грн
3000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D120-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.12 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.42 грн
50+29.02 грн
100+21.44 грн
500+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PZNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 60V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D120-60PZNexperia USA Inc.Description: BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D125-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.08 грн
33+25.27 грн
100+18.02 грн
500+13.32 грн
1000+9.15 грн
3000+8.39 грн
6000+6.99 грн
12000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D125-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D125-60EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 60V 7.4A
на замовлення 5688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.67 грн
13+26.52 грн
100+12.02 грн
500+11.25 грн
1000+9.64 грн
3000+7.20 грн
6000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D125-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.02 грн
500+13.32 грн
1000+9.15 грн
3000+8.39 грн
6000+6.99 грн
12000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D125-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D125-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.02 грн
12+25.44 грн
100+13.26 грн
500+11.61 грн
1000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D16-30EXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.10 грн
10+30.96 грн
100+19.87 грн
500+14.18 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D16-30EXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D20-40EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 40V 19A
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.95 грн
13+26.36 грн
100+16.35 грн
500+12.51 грн
1000+11.18 грн
3000+9.29 грн
6000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D20-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D20-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.01 грн
29+28.13 грн
100+20.95 грн
500+14.99 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D20-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D20-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.95 грн
500+14.99 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D210-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.52 грн
15+21.42 грн
100+11.43 грн
500+9.77 грн
1000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D210-60EXNexperia60 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D210-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D210-60EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 60V 2.1A
на замовлення 14166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.78 грн
15+22.26 грн
100+10.41 грн
500+9.22 грн
1000+8.32 грн
3000+6.64 грн
6000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D215-80PXNexperia USA Inc.Description: BUK6D215-80P/SOT1220/DFN2020MD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D22-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D22-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.03 грн
12+26.19 грн
100+16.79 грн
500+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D22-30EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 7.2A
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.18 грн
12+27.97 грн
100+15.79 грн
500+12.02 грн
1000+10.13 грн
3000+8.74 грн
6000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D22-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D22-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EHNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 40V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.97 грн
500+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EHNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.82 грн
10+33.46 грн
50+24.36 грн
100+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EHNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.89 грн
31+26.74 грн
100+19.97 грн
500+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EHNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.44 грн
21+36.38 грн
25+36.02 грн
100+22.27 грн
250+20.41 грн
500+14.77 грн
1000+11.97 грн
3000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.74 грн
12+26.04 грн
100+16.70 грн
500+11.88 грн
1000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 40V 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+33.62 грн
601+21.55 грн
607+21.34 грн
805+15.51 грн
1000+11.63 грн
3000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D23-40EZNexperiaMOSFETs 40 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D230-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D230-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D230-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 5.1 A, 0.175 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.16 грн
31+26.33 грн
100+15.57 грн
500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D230-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 1.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D230-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D230-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D230-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 5.1 A, 0.175 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.57 грн
500+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D230-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 1.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D230-80EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 80V 1.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D230-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 1.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D30-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D30-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 6A/18A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D30-40EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 40V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D30-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 19W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.95 грн
500+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D30-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D30-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 6A/18A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.38 грн
14+23.17 грн
100+17.31 грн
500+12.39 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D30-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 19W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.26 грн
26+31.55 грн
100+20.95 грн
500+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D38-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
13+23.32 грн
100+15.62 грн
500+11.72 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D38-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D38-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D38-30EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 5.5A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.32 грн
14+24.35 грн
100+14.19 грн
500+11.39 грн
1000+9.64 грн
3000+8.74 грн
6000+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D385-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.62 грн
25+33.18 грн
100+16.55 грн
500+12.95 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.15 грн
9000+10.72 грн
24000+10.63 грн
45000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D385-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.25 грн
10+32.48 грн
50+23.64 грн
100+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D385-100EXNexperiaMOSFETs SOT1220 100V 3.7A N-CH TRENCH
на замовлення 7903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.06 грн
16+21.22 грн
100+11.04 грн
500+10.48 грн
1000+10.06 грн
3000+6.99 грн
6000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D385-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D385-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.55 грн
500+12.95 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D385-100EXNexperia100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.41 грн
9000+10.00 грн
24000+9.92 грн
45000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40PNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40P,115NXPTrans MOSFET P-CH 40V 14A Automotive 6-Pin DFN-MD EP BUK6D43-40PX NEXPERIA TBUK6d43-40px
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40P,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.57 грн
50+35.71 грн
100+23.89 грн
500+16.96 грн
1500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40PXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 40V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.89 грн
500+16.96 грн
1500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-40PXNexperiaMOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-60E,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.043 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.57 грн
500+25.13 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-60EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 60V 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.043 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.95 грн
24+34.81 грн
100+34.57 грн
500+25.13 грн
1000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.032 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 327000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3201+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3201
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D43-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D56-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D56-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.81 грн
13+25.13 грн
100+13.43 грн
500+11.43 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D56-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.61 грн
6000+7.90 грн
9000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D56-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D56-60EXNexperiaMOSFET BUK6D56-60E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.64 грн
11+29.82 грн
100+14.40 грн
1000+9.78 грн
3000+8.67 грн
9000+7.83 грн
24000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D72-30EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D72-30EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.053 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.97 грн
25+33.35 грн
100+17.69 грн
500+14.16 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D72-30EXNexperia30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D72-30EXNexperiaMOSFET BUK6D72-30E/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.35 грн
14+24.35 грн
100+12.37 грн
1000+8.39 грн
3000+6.85 грн
9000+6.64 грн
24000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D72-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.66 грн
13+23.54 грн
100+12.30 грн
500+10.74 грн
1000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D72-30EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D72-30EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.053 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.69 грн
500+14.16 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D72-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D77-60EXNexperia60 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D77-60EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3.4A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.09 грн
10+33.83 грн
50+21.38 грн
100+18.80 грн
1000+13.77 грн
3000+10.69 грн
6000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D77-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D77-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.77 грн
500+12.34 грн
1000+8.53 грн
3000+7.69 грн
6000+6.85 грн
12000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D77-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.25 грн
10+32.48 грн
50+23.64 грн
100+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D77-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.04 грн
32+26.01 грн
100+17.77 грн
500+12.34 грн
1000+8.53 грн
3000+7.69 грн
6000+6.85 грн
12000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D81-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.8 A, 0.062 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+28.49 грн
715+18.11 грн
722+17.93 грн
776+16.07 грн
1389+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 454
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D81-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.8 A, 0.062 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.92 грн
22+33.73 грн
25+33.39 грн
50+29.44 грн
100+17.32 грн
250+16.47 грн
500+15.31 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 80V 3.2A
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.82 грн
18+17.92 грн
100+8.88 грн
1000+8.81 грн
3000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R0-30C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R0-30C127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+65.22 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R3-40C,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6E2R3-40C - 120A, 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+68.50 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R3-40C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R3-40C,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6E2R3-40C,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+82.34 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E3R2-55C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E3R4-40C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E4R0-75C,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
на замовлення 19992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 295
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6M61-60PXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.54 грн
10+64.45 грн
100+37.18 грн
500+29.42 грн
1000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q12-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q12-40P/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.58 грн
10+84.18 грн
50+63.27 грн
100+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q12-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q12-40P/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q12-40PJNexperiaMOSFETs BUK6Q12-40P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.09 грн
10+96.44 грн
50+63.73 грн
100+56.46 грн
1000+39.48 грн
3000+35.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q21-30PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.92 грн
10+64.80 грн
50+48.25 грн
100+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q21-30PJNexperiaMOSFETs BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.02 грн
10+59.95 грн
100+34.52 грн
500+28.37 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q21-30PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.6mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJNexperiaMOSFETs BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.20 грн
10+59.47 грн
100+34.31 грн
500+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.6mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.92 грн
10+65.26 грн
50+48.63 грн
100+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q66-60PJNexperiaMOSFETs BUK6Q66-60P/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q8R2-30PJNexperiaMOSFETs BUK6Q8R2-30P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.06 грн
10+102.06 грн
50+66.74 грн
100+59.12 грн
1000+46.82 грн
3000+36.48 грн
6000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 80A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y10-30PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.008 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 80A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.86 грн
10+81.01 грн
100+54.33 грн
500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 30V 80A
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.01 грн
10+94.03 грн
50+61.29 грн
100+54.72 грн
1500+37.11 грн
3000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y10-30PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.008 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y12-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 67A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y12-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 67A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y12-30PXNexperiaMOSFET BUK6Y12-30P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y14-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.47 грн
12+72.15 грн
50+68.81 грн
200+52.16 грн
500+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+66.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.64 грн
10+75.25 грн
100+50.44 грн
500+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+61.27 грн
500+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 212
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 110W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -257A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+136.79 грн
10+101.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y14-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.81 грн
200+52.16 грн
500+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 40V 64A
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.66 грн
10+76.03 грн
100+44.03 грн
500+34.73 грн
1000+32.91 грн
1500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+58.84 грн
500+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 440
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.51 грн
3000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y15-40PXNexperiaMOSFET BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y15-40PXNexperia USA Inc.Description: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y15-40PXNexperia USA Inc.Description: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.66 грн
3000+25.40 грн
4500+25.14 грн
7500+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 45A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 45A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.28 грн
10+66.32 грн
100+44.08 грн
500+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y19-30PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.015 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 66
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 30V 45A
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.68 грн
10+57.14 грн
100+35.43 грн
500+28.30 грн
1000+26.00 грн
1500+21.59 грн
3000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y20-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 41A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1408 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y20-30PXNexperiaMOSFET BUK6Y20-30P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 40V 39A
на замовлення 16945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.65 грн
10+61.40 грн
100+35.43 грн
500+27.67 грн
1000+26.56 грн
1500+23.97 грн
3000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y24-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 39 A, 0.019 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.26 грн
15+55.85 грн
50+49.16 грн
200+39.44 грн
500+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.63 грн
10+61.09 грн
100+40.56 грн
500+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.47 грн
3000+25.25 грн
4500+24.15 грн
7500+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y24-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 39 A, 0.019 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.16 грн
200+39.44 грн
500+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y25-40PXNexperiaMOSFET BUK6Y25-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y25-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 38A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y32-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 40A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y32-60PXNexperiaMOSFET BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y32-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 40A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y33-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.88 грн
11+76.39 грн
50+67.91 грн
200+55.11 грн
500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+69.73 грн
100+48.92 грн
500+37.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y33-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.91 грн
200+55.11 грн
500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 60V 30A
на замовлення 6848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.10 грн
10+69.84 грн
100+46.82 грн
500+37.25 грн
1000+27.95 грн
1500+27.88 грн
9000+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y55-80PXNexperiaMOSFETs BUK6Y55-80P/SOT669/LFPAK
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.68 грн
10+89.20 грн
100+51.50 грн
500+42.21 грн
1000+36.97 грн
1500+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y57-60PXNexperiaMOSFET BUK6Y57-60P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y57-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 23A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.26 грн
10+49.13 грн
100+37.28 грн
500+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.33 грн
200+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.68 грн
3000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+31.80 грн
3000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 60V 25A
на замовлення 7989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.13 грн
10+51.03 грн
100+33.68 грн
500+28.58 грн
1000+24.46 грн
1500+22.57 грн
3000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.40 грн
11+78.02 грн
50+68.65 грн
200+54.96 грн
500+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
646+40.06 грн
1000+36.95 грн
10000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 646
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
646+40.06 грн
1000+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 646
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7105-40AIE,118NexperiaNexperia TRENCHPLUS MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.