
BUV21G onsemi

Description: TRANS NPN 200V 40A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 3mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1634.19 грн |
10+ | 1131.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUV21G onsemi
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 40A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BUV21G за ціною від 915.34 грн до 1809.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BUV21G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BUV21G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 40A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BUV21G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
BUV21G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
BUV21G | Виробник : Sanyo |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A Current - Collector Cutoff (Max): 3mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 250 W |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BUV21G | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
BUV21G Код товару: 165153
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
![]() |
BUV21G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
BUV21G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |