Продукція > ONSEMI > BUV21G
BUV21G

BUV21G ONSEMI

BUV21.PDF Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1354.32 грн
2+1188.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BUV21G ONSEMI

Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 40A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BUV21G за ціною від 890.23 грн до 1800.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BUV21G BUV21G Виробник : onsemi buv21-d.pdf Description: TRANS NPN 200V 40A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 3mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1589.37 грн
10+1100.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G BUV21G Виробник : ONSEMI BUV21.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 40A; 250W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1625.19 грн
2+1481.40 грн
100+1371.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G BUV21G Виробник : onsemi BUV21_D-2310668.pdf Bipolar Transistors - BJT 40A 200V 250W NPN
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1651.66 грн
10+1233.08 грн
20+961.42 грн
50+890.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G BUV21G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013215054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 40A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1654.00 грн
5+1377.37 грн
10+1100.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G BUV21G Виробник : ON Semiconductor buv21-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+1800.66 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G BUV21G Виробник : ON Semiconductor 666buv21-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G Виробник : Sanyo ONSMS37842-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 200V 40A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max): 3mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+1002.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G
Код товару: 165153
Додати до обраних Обраний товар

buv21-d.pdf ONSMS37842-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G BUV21G Виробник : ON Semiconductor buv21-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUV21G BUV21G Виробник : ON Semiconductor buv21-d.pdf Trans GP BJT NPN 200V 40A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.