Технічний опис BUZ10 SIEMENS
Description: MOSFET N-CH 50V 23A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BUZ10 за ціною від 85.00 грн до 85.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUZ10 | Виробник : SIE |
 TO-220 98+ |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
BUZ10 (транзистор) Код товару: 49816
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 50 V Idd,A: 23 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 900/ Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||
 |
BUZ10 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 50V 23A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
BUZ10 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 50 Volt 23 Amp |
товару немає в наявності |