Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG23MHE3_A/I

BYG23MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Name: BYG23MHE3_A/I
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 25834294-3
Price: 351.96 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Technology: Avalanche
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 7465 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	58.66 грн
10+	34.64 грн
100+	22.39 грн
500+	16.03 грн
1000+	14.43 грн
2000+	13.08 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BYG23MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BYG23MHE3_A/I

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	BYG23MHE3_A/I	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн.
	BYG23MHE3_A/I	Vishay Semiconductors	Rectifiers 1.5A,1000V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
$BYG23MHE3_A\I$	BYG23MHE3_A\I	Vishay	Rectifiers 1.5A,1000V,75NS,FAST Avalanche,SMD	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	BYG23MHE3_A/I	VISHAY	Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. forward impulse current: 30A	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн.
	BYG23MHE3_A/I	Vishay	Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн.

BYG23MHE3_A/I

Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 7500 шт

В кошику од. на суму грн.

BYG23MHE3_A/I

Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.5A,1000V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BYG23MHE3_A\I

$BYG23MHE3_A\I$

Виробник: Vishay
Rectifiers 1.5A,1000V,75NS,FAST Avalanche,SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BYG23MHE3_A/I

Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.7V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 7500 шт

В кошику од. на суму грн.

BYG23MHE3_A/I

Виробник: Vishay
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 7500 шт

В кошику од. на суму грн.