
на замовлення 8383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 34.25 грн |
15+ | 23.89 грн |
100+ | 10.49 грн |
500+ | 8.29 грн |
1000+ | 5.36 грн |
2500+ | 4.99 грн |
10000+ | 4.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CBS10S40,L3F Toshiba
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: CST2B, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V.
Інші пропозиції CBS10S40,L3F
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
CBS10S40,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: CST2B Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
CBS10S40,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: CST2B Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V |
товару немає в наявності |