CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ESC
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 1.45 грн |
| 16000+ | 1.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Supplier Device Package: ESC, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-79, SOD-523, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції CES520,L3F за ціною від 1.34 грн до 11.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CES520,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Supplier Device Package: ESC Current - Average Rectified (Io): 200mA Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz Technology: Schottky Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-79, SOD-523 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 36572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
CES520,L3F | Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers SM Sig Schotky Diode 30 VR 0.2A 1 Circuit |
на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| CES520,L3F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ESC
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ESC
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 36572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.29 грн |
| 52+ | 5.87 грн |
| 100+ | 3.38 грн |
| 500+ | 2.42 грн |
| 1000+ | 2.11 грн |
| 2000+ | 2.09 грн |
| CES520,L3F |
|
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers SM Sig Schotky Diode 30 VR 0.2A 1 Circuit
Schottky Diodes & Rectifiers SM Sig Schotky Diode 30 VR 0.2A 1 Circuit
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.98 грн |
| 45+ | 7.20 грн |
| 100+ | 3.87 грн |
| 500+ | 2.81 грн |
| 1000+ | 2.18 грн |
| 5000+ | 1.55 грн |
| 8000+ | 1.34 грн |