CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: ESC
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-79, SOD-523
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.32 грн |
| 42+ | 7.12 грн |
| 100+ | 4.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CES520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Supplier Device Package: ESC, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 0V, 1MHz, Technology: Schottky, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-79, SOD-523, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції CES520,L3F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CES520,L3F | Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers SM Sig Schotky Diode 30 VR 0.2A 1 Circuit |
на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CES520,L3F |
|
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers SM Sig Schotky Diode 30 VR 0.2A 1 Circuit
Schottky Diodes & Rectifiers SM Sig Schotky Diode 30 VR 0.2A 1 Circuit
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)