CES521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 2.34 грн |
| 16000+ | 1.96 грн |
| 24000+ | 1.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CES521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-79, SOD-523, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: ESC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V.
Інші пропозиції CES521,L3F за ціною від 1.07 грн до 14.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
CES521,L3F | Виробник : Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers SM Sig Schotky Diode 30 VR 0.2A 1 Circui |
на замовлення 359092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
CES521,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESCPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-79, SOD-523 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: ESC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V |
на замовлення 58615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CES521,L3F | Виробник : Toshiba |
Diode Small Signal Schottky Si 0.2A 2-Pin ESC T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| CES521,L3F | Виробник : Toshiba |
Diode Small Signal Schottky Si 0.2A 2-Pin ESC T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| CES521,L3F | Виробник : Toshiba |
Diode Small Signal Schottky Si 0.2A 2-Pin ESC T/R |
товару немає в наявності |
