CMG06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CMG06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-128, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції CMG06(TE12L,Q,M)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CMG06(TE12L,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Rectifiers 600V Vrrm 1.0A IF 1.1V VFM 15A IFRM |
товар відсутній |